【技术实现步骤摘要】
一种耐高压射频突波抑制X2电容器
本技术涉及一种电容器，尤其涉及一种耐高压射频突波抑制X2电容器；属于电子电气领域。
技术介绍
在包含有电容器等的电子电路中，在开关闭合的瞬间会产生一个比正常工作电流高出百倍的突波电流，通常可采用电阻器零功率电阻进行对突波电流的减少，甚至完成突波电流的抑制，但缺点是伴随性的电阻温度的不断升高及对电路的影响，耐高压射频突波抑制X2电容器的出现改善了这一现象的发生。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为解决上述问题，本技术提出了一种耐高压射频突波抑制X2电容器。(二)技术方案本技术的耐高压射频突波抑制X2电容器，包括电容器外壳体、电容芯体及位于壳体最上端的引脚端；所述的电容器外壳体全包围电容芯体，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层。进一步地，所述的电容芯体包括由若干层金属化聚丙烯有机薄膜和金属箔薄膜，且后者表面涂有银粉层，其两者薄膜通过一层一层叠合后形成电极薄板，再经卷压铸成型成长方体结构。进一步地，所述的电容器外壳体为阻燃PBT塑料，其与引脚端通过环氧树脂封装。进一步地，所述的引脚端为镀锡铜包钢线CP线或镀锡铜线,引脚底端锡焊与电容芯体。进一步地，所述的抑波介质屏蔽层为含有硅铁氧体磁性材料薄膜围绕填充，其整体层厚度为0.2至0.5mm。(三)有益效果本技术与现有技术相比较，其具有以下有益效果：本技术的耐高压射频突波抑制X2电容器，通过电容芯层外设置的硅铁氧体磁性材料薄膜层更加提高了其抑制高射...
【技术保护点】
1.一种耐高压射频突波抑制X
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种耐高压射频突波抑制X2电容器，其特征在于：包括电容器外壳体(4)、电容芯体(2)及位于壳体最上端的引脚端(1)；所述的电容器外壳体(4)全包围电容芯体(2)，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层(3)。
2.根据权利要求1所述的耐高压射频突波抑制X2电容器，其特征在于：所述的电容芯体(2)包括由若干层金属化聚丙烯有机薄膜(201)和金属箔薄膜(202)，且后者表面涂有银粉层，其两者薄膜通过一层一层叠合后形成电极薄板，再经卷压铸成型成长方体结构。
技术研发人员：吴建连，吴业，陈娟娟，
申请(专利权)人：长兴超业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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