射频发射机制造技术

本发明专利技术提供一种射频发射机。该射频发射机包括：数模转换器、滤波器、上混频器、锁相环和功率放大电路；其中，数模转换器的输出端与滤波器的输入端连接，滤波器的输出端、锁相环的输出端分别与上混频器的输入端连接，上混频器的输出端与功率放大电路的输入端连接；数模转换器、滤波器、锁相环和上混频器中均设置有控制开关；其中，所有的控制开关接收到“断开”指令时，射频发射机为增强数据率传输模式发射机，所有的控制开关接收到“闭合”指令时，射频发射机为超低功耗模式发射机。本发明专利技术提供的射频发射机，通过控制开关进行两种模式的切换，电路结构组成部分中的相同部分可以复用，大大简化了电路结构，减小电路占用面积，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
射频发射机
本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种射频发射机。
技术介绍
在双模蓝牙4.0中，有两种模式的(增强数据率传输模式和超低功耗模式)射频发射机，增强数据率传输模式射频发射机由数模转换器、滤波器、I/Q上混频器和功率放大器、锁相环等构成，超低功耗模式射频发射机由锁相环、缓冲器、预放大器和功率放大器等构成，现有技术中在系统设置时，两种模式的发射机在电路结构上独立设计，通过软件设置开关由用户选择进行模式切换，电路结构复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种射频发射机，可实现增强数据率传输模式和超低功耗模式的射频发射机在电路结构上为一体结构，通过硬件控制开关进行两种模式的切换，相关电路可以复用，从而降低电路结构的复杂度，节约成本。本专利技术提供的射频发射机，包括：数模转换器、滤波器、上混频器、锁相环和功率放大电路；其中，所述数模转换器的输出端与所述滤波器的输入端连接，所述滤波器的输出端、所述锁相环的输出端分别与所述上混频器的输入端连接，所述上混频器的输出端与所述功率放大电路的输入端连接；所述数模转换器、滤波器、锁相环和所述上混频器中均设置有控制开关；其中，所有的控制开关接收到“断开”指令时，所述射频发射机为增强数据率传输模式发射机，所有的控制开关接收到“闭合”指令时，所述射频发射机为超低功耗模式发射机。进一步地，所述数模转换器和所述滤波器中均设置一个控制开关，所述锁相环中设置二个控制开关，所述上混频器中设置多个控制开关；所述上混频器中的所有控制开关接收到“断开”指令时，所述上混频器为正交混频器，所述上混频器中的所有控制开关接收到“闭合”指令时，所述上混频器为缓冲器。进一步地，所述上混频器包括：并联的第一吉尔伯特电路单元和第二吉尔伯特电路单元以及负载电路；所述第一吉尔伯特电路单元包括第一正极基带信号输入端、第一负极基带信号输入端、第一本振信号输入端、第二本振信号输入端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，所述第一正极基带信号输入端与所述第一MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极连接第一控制开关一端，所述第四MOS管的栅极连接第二控制开关一端，所述第一负极基带信号输入端与所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的栅极均连接至第三控制开关一端，所述第一本振信号输入端与所述第五MOS管的栅极连接，所述第二本振信号输入端与所述第六MOS管的栅极连接；所述第二吉尔伯特电路单元包括第二正极基带信号输入端、第二负极基带信号输入端、第三本振信号输入端、第四本振信号输入端、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管；其中，所述第二正极基带信号输入端与所述第七MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极连接，所述第七MOS管的栅极连接第四控制开关一端，所述第十MOS管的栅极连接第五控制开关一端，所述第二负极基带信号输入端与所述第八MOS管的栅极和所述第九MOS管的栅极连接，所述第八MOS管和所述第九MOS管的栅极均连接至第六控制开关一端，所述第三本振信号输入端与所述第十一MOS管的栅极连接，所述第四本振信号输入端与所述第十二MOS管的栅极连接；其中，所述第一控制开关和所述第二控制开关另一端连接至电源，所述第三控制开关、所述第四控制开关、所述第五控制开关、所述第六控制开关的另一端均接地。进一步地，所述上混频器中的所述第一控制开关和所述第二控制开关复用，所述第三控制开关、所述第四控制开关、所述第五控制开关、所述第六控制开关复用。进一步地，所述第一吉尔伯特电路单元还包括：用于作为电流源的第十三MOS管，所述第十三MOS管的漏极与所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极连接；所述第二吉尔伯特电路单元还包括：用于作为电流源的第十四MOS管，所述第十四MOS管的漏极与所述第十一MOS管的源极和所述第十二MOS管的源极连接。进一步地，所述数模转换器、所述滤波器、所述锁相环和所述上混频器中设置的所有控制开关由同一个“断开”指令或“闭合”指令控制。进一步地，还包括匹配网络与天线，所述功率放大电路的输出端与所述匹配网络连接。本专利技术提供的射频发射机，可将增强数据率传输模式和低功耗模式的发射机的电路结构进行融合，通过硬件控制开关进行两种模式的切换，电路结构组成部分中的相同部分可以复用，如上混频器、锁相环、功率放大电路以及天线都可以复用，大大简化了电路结构，减小电路占用面积，降低了成本。附图说明图1为本专利技术射频发射机实施例一的结构示意图；图2为本专利技术射频发射机实施例一中的上混频器的结构示意图；图3为上混频器中的所有开关断开时的结构示意图；图4为上混频器中的所有开关闭合时的结构示意图；图5为本专利技术射频发射机实施例二的结构示意图；图6为本专利技术射频发射机所有控制开关闭合时的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述。图1为本专利技术射频发射机实施例一的结构示意图，如图1所示，本实施例的射频发射机可以包括：数模转换器11、滤波器12、上混频器13、锁相环15和功率放大电路14，其中，数模转换器11的输出端与滤波器12的输入端连接，滤波器12的输出端、锁相环15的输出端分别与上混频器13的输入端连接，上混频器13的输出端与功率放大电路14的输入端连接。数模转换器11、滤波器12、锁相环15和上混频器13中均设置有控制开关。其中，所有的控制开关接收到“断开”指令时，射频发射机为增强数据率传输模式发射机，所有的控制开关接收到“闭合”指令时，射频发射机为超低功耗模式发射机。具体地，数模转换器11和滤波器12中均设置一个控制开关，用于控制数模转换器11和滤波器12是否正常工作。锁相环15中设置二个控制开关，用于控制锁相环与上混频器连接的两条支路是否正常工作，上混频器13中设置多个控制开关。上混频器13中的所有控制开关接收到“断开”指令时，上混频器13为正交混频器，上混频器13中的所有控制开关接收到“闭合”指令时，上混频器13为缓冲器。其中，数模转换器11、滤波器12、锁相环15和上混频器13中设置的所有控制开关可由同一个“断开”指令或“闭合”指令控制，可由软件进行配置。图2为本专利技术射频发射机实施例一中的上混频器的结构示意图，如图2所示，上混频器13包括：并联的第一吉尔伯特电路单元101a和第二吉尔伯特电路单元以及负载电路101b。其中，第一吉尔伯特电路单元101a包括第一正极基带信号输入端(BB_IP)、第一负极基带信号输入端(BB_IN)、第一本振信号输入端(LO_IP)和第二本振信号输入端(LO_IN)、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6。其中，第一正极基带信号输入端(BB_IP)与第一MOS管M1的栅极和第四MOS管M4的栅极连接，第一MOS管M1的栅极连接第一控制开关SW1一端，第四MOS管M4的栅极连接第二控制开关(SW2)一端，第一负极基带信号输入端(BB_IN)与第二MOS管M2的栅极和第三MOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频发射机，其特征在于，包括：数模转换器、滤波器、上混频器、锁相环和功率放大电路；其中，所述数模转换器的输出端与所述滤波器的输入端连接，所述滤波器的输出端、所述锁相环的输出端分别与所述上混频器的输入端连接，所述上混频器的输出端与所述功率放大电路的输入端连接；所述数模转换器、滤波器、锁相环和所述上混频器中均设置有控制开关；其中，所有的控制开关接收到“断开”指令时，所述射频发射机为增强数据率传输模式发射机，所有的控制开关接收到“闭合”指令时，所述射频发射机为超低功耗模式发射机。

【技术特征摘要】
1.一种射频发射机，其特征在于，包括：数模转换器、滤波器、上混频器、锁相环和功率放大电路；其中，所述数模转换器的输出端与所述滤波器的输入端连接，所述滤波器的输出端、所述锁相环的输出端分别与所述上混频器的输入端连接，所述上混频器的输出端与所述功率放大电路的输入端连接；所述数模转换器、滤波器、锁相环和所述上混频器中均设置有控制开关；其中，所有的控制开关接收到“断开”指令时，所述射频发射机为增强数据率传输模式发射机，所有的控制开关接收到“闭合”指令时，所述射频发射机为超低功耗模式发射机。2.根据权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述数模转换器和所述滤波器中均设置一个控制开关，所述锁相环中设置二个控制开关，所述上混频器中设置多个控制开关；所述上混频器中的所有控制开关接收到“断开”指令时，所述上混频器为正交混频器，所述上混频器中的所有控制开关接收到“闭合”指令时，所述上混频器为缓冲器。3.根据权利要求2所述的射频发射机，其特征在于，所述上混频器包括：并联的第一吉尔伯特电路单元和第二吉尔伯特电路单元以及负载电路；所述第一吉尔伯特电路单元包括第一正极基带信号输入端、第一负极基带信号输入端、第一本振信号输入端、第二本振信号输入端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，所述第一正极基带信号输入端与所述第一MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极连接第一控制开关一端，所述第四MOS管的栅极连接第二控制开关一端，所述第一负极基带信号输入端与所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的栅极均连接至第三控制开关一端，所述第一本振信号输入端与所述第五MOS管的栅极连接，所述第二本振信号输入端与所述第六MOS管的栅极连接；所述第二吉尔伯特电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞金，张旭，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31