基于内置E-Fuse存储器的芯片测试方法、芯片技术

本发明专利技术公开了一种基于内置E‑Fuse存储器的芯片测试方法、芯片，该方法包括：在进入OS测试后，检查E‑Fuse是否已完成烧录；如果未完成烧录，则对芯片进行基础校准，确定待烧录数据，将所述待烧录数据烧录至E‑Fuse；如果已完成烧录、或者烧录所述待烧录数据至E‑Fuse后，则进行功能测试。利用本发明专利技术方案，可以在ATE量产测试中使内置E‑Fuse存储器的芯片支持重复性测试，实现对不良品的回收测试，从而可以规避误放风险，避免不必要的良率损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及产品测试，具体涉及一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法。

技术介绍

1、otp(one-time programmable，只可一次编码)存储器的种类很多，主要有e-fuse(electronic fuse，电子熔断器)和anti-fuse两种。e-fuse(electronic fuse，电子熔断器)是一种用于存储信息和保护芯片的otp nvm(one-time programmable non-volatilememory，一次性可编程的非易失性存储器)。在e-fuse中，短电流脉冲被应用于热致电子发射，使得电流通过一个非常小的导线。该电流会导致电线中的材料熔断，从而形成一个永久性的开路。也就是说e-fuse被熔断后不能再次编程,此过程具有不可逆性。

2、e-fuse技术广泛应用在低成本芯片中，如低成本数模混合电路等产品。

3、通常，芯片仿真设计与工艺生产会存在一定偏差，经工艺生产制造出来的芯片实际参数指标与设计理论规格存在一定偏差，这就要求在量产测试阶段通过ate(automatictesting equ本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于内置E-Fuse存储器的芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基础校准数据被烧录至基础校准区域；所述补偿校准值被烧录至补偿校准区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求2至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基础校准数据被烧录至基础校准区域；所述补偿校准值被烧录至补偿校准区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求2至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国荣，娄锦兰，王震宇，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：