【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及产品测试，具体涉及一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法。
技术介绍
1、otp(one-time programmable，只可一次编码)存储器的种类很多，主要有e-fuse(electronic fuse，电子熔断器)和anti-fuse两种。e-fuse(electronic fuse，电子熔断器)是一种用于存储信息和保护芯片的otp nvm(one-time programmable non-volatilememory，一次性可编程的非易失性存储器)。在e-fuse中，短电流脉冲被应用于热致电子发射，使得电流通过一个非常小的导线。该电流会导致电线中的材料熔断，从而形成一个永久性的开路。也就是说e-fuse被熔断后不能再次编程,此过程具有不可逆性。
2、e-fuse技术广泛应用在低成本芯片中，如低成本数模混合电路等产品。
3、通常，芯片仿真设计与工艺生产会存在一定偏差，经工艺生产制造出来的芯片实际参数指标与设计理论规格存在一定偏差，这就要求在量产测试阶段通过ate(automatictesting equipment，自动测试设备)测试来实现偏差校准并烧录到e-fuse，以弥补设计与生产偏差，提升产品的良率和性能指标。另外，随着半导体技术的发展，对ate量产测试的要求越来越高，产品有效信息的烧录需求也越来越多，如晶圆相关信息、芯片坐标、产品编号(good id)等烧录，以方便问题追踪与管控。
4、内嵌mtp存储器(例如flash存储器)的soc(system on
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法、芯片，以解决现有的基于内置e-fuse存储器的芯片在ate量产测试中无法重复测试的问题。
2、为此，本专利技术实施例提供如下技术方案：
3、一方面，本专利技术实施例提供一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法，所述方法包括：
4、在进入os测试后，检查e-fuse是否已完成烧录；
5、如果未完成烧录，则对芯片进行基础校准，确定待烧录数据，将所述待烧录数据烧录至e-fuse；
6、如果已完成烧录、或者烧录所述待烧录数据至e-fuse后，则进行功能测试。
7、可选地，所述方法还包括：
8、在进行功能测试之前，对e-fuse中烧录的基础校准数据进行校验；
9、如果校验成功，则进行功能测试；
10、如果校验失败，则检查是否已进行补偿校准；
11、如果是，则对所述基础校准数据及补偿校准数据进行校验；
12、如果否，则进行补偿校准，确定补偿校准数据，并将所述补偿校准数据烧录至e-fuse。
13、可选地，所述基础校准数据被烧录至基础校准区域；所述补偿校准值被烧录至补偿校准区域。
14、可选地，所述基础校准区域和所述补偿校准区域为同一e-fuse中的不同区域；或者所述基础校准区域和所述补偿校准区域为不同e-fuse中的区域。
15、可选地，所述检查e-fuse是否已完成烧录包括：
16、读取所述基础校准区域；如果为空，则确定e-fuse未完成烧录；否则确定e-fuse已完成烧录；
17、所述检查是否已进行补偿校准包括：
18、读取所述补偿校准区域；如果为空，则确定未进行补偿校准；否则确定已进行补偿校准。
19、可选地，所述方法还包括：
20、将所述补偿校准值烧录至e-fuse之后，对e-fuse中烧录的基础校准数据及所述补偿校准值进行校验；
21、如果校验成功，则进行功能测试；
22、如果校验失败，则确定所述芯片失效。
23、可选地，所述方法还包括：
24、在将所述待烧录数据烧录至e-fuse之后、对e-fuse中烧录的基础校准数据进行校验之前，对e-fuse中烧录的数据进行检测，确定已烧录数据是否正确；
25、如果正确，则执行对e-fuse中烧录的基础校准数据进行校验的步骤；
26、否则，确定所述芯片失效。
27、可选地，所述e-fuse中烧录的数据包括：所述基础校准数据和生产信息；
28、所述对e-fuse中烧录的数据进行检测，确定已烧录数据是否正确包括：
29、读取e-fuse中烧录的数据并写入测试向量，运行所述测试向量，根据运行结果确定e-fuse中烧录的数据是否正确；和/或
30、通过内建自测程序依次读取e-fuse中的每个基出校准数据和生产信息，判断与对应的烧录值是否相同。
31、可选地，所述e-fuse中烧录的数据还包括：产品识别码；
32、所述方法还包括：
33、在进行功能测试之前，读取e-fuse中烧录的生产信息和产品识别码并写入测试向量，运行所述测试向量，根据运行结果确定所述生产信息和产品识别码是否正确。
34、另一方面，本专利技术实施例还提供一种芯片，所述芯片包括：e-fuse存储模块，所述e-fuse存储模块内烧录有校准数据和校准补偿值；
35、所述芯片包括：e-fuse存储模块，所述e-fuse存储模块内烧录有基础校准数据和补偿校准数据；
36、所述基础校准数据是对所述芯片进行基础校准后烧录的；
37、所述补偿校准数据是对所述芯片进行补偿校准后烧录的。
38、可选地，所述基础校准数据和所述补偿校准数据位于同一e-fuse存储模块中的不同区域。
39、可选地，所述e-fuse存储模块包括：第一e-fuse存储器和第二e-fuse存储器；
40、所述基础校准数据位于所述第一e-fuse存储器；
41、所述补偿校准数据位于第二e-fuse存储器。
42、本专利技术实施例提供的基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法，在进入os测试后，通过检查e-fuse是否已完成烧录，对于已完成烧录的芯片，可以跳过校准流程，直接进行功能测试，从而实现对已烧录芯片的功能测试；如果未完成烧录，则可以按照现有常规的处理流程，完成校准、烧录过程，然后进行功能测试。利用本专利技术方案，可以在ate量产测试中使内置e-fuse存储器的芯片支持重复性测试，实现对不良品的回收测试，从而可以规避误放风险，避免不必要的良率损失。
43、进一步地，在进行功能测试之前，先对e-fuse中烧录的基础校准数据进行校本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于内置E-Fuse存储器的芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基础校准数据被烧录至基础校准区域；所述补偿校准值被烧录至补偿校准区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求2至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述E-Fuse中烧录的数据包括：所述基础校准数据和生产信息；
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述E-Fuse中烧录的数据还包括：产品识别码；
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：E-Fuse存储模块，所述E-Fuse存储模块内烧录有基础校准数据和补偿校准数据；
11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，所述基础校准数据和所述补偿校准
12.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，所述E-Fuse存储模块包括：第一E-Fuse存储器和第二E-Fuse存储器；
...【技术特征摘要】
1.一种基于内置e-fuse存储器的芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基础校准数据被烧录至基础校准区域；所述补偿校准值被烧录至补偿校准区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求2至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙国荣，娄锦兰，王震宇，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。