一种硅柱晶圆光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种硅柱晶圆光刻方法，通通过将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行旋转曝光，将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行旋转曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为‑5μrad～5μrad；通过对曝光视场值、每个区域曝光时移动距离进行调整，然后采用旋转曝光，确保各区曝光过程中部分区重叠，从而减轻了硅柱产品光刻场效应，通过该方法可显著的减轻光刻场效应，肉眼看不见格线，显微镜下观察重复区域交界处无明显色差，在CD SEM下重复区域交界处图形无明显差异。

A method of wafer lithography with silicon cylinder

【技术实现步骤摘要】
一种硅柱晶圆光刻方法
本专利技术属于硅柱产品光刻领域，具体涉及一种硅柱晶圆光刻方法。
技术介绍
光刻曝光所采用的主要方式有分步重复光刻机、步进扫描光刻机，两者分别使用的步进方式为STEP、SCANNER。这两种曝光方式均可避免接触式曝光所带来的沾污问题，同样可以解决接近式曝光所造成的分辨率低的问题。但是这两种曝光方式会引进光刻场效应。光刻在空间中是以电磁波的方式进行传播的，当掩模板上图形的特征尺寸接近或小于曝光波长，光透过图形边缘时，就会发生衍射效应。光透过图形后本应该图形上的完整信息带给光刻胶，但是由于衍射效应的存在导致这个信息在空间中是扩散开的。无论分步重复光刻机还是不近扫描光刻机均采用投影方式进行曝光，即在掩模板和光刻胶之间放置一块透镜，利用光学系统将掩模板成像到光刻胶。为了将完整的信息带给光刻胶，需要将空间中的信息完全的收集起来，这样就需要一个很大的透镜，利用投影光学系统进行曝光的光刻机，其可曝光的最小尺寸取决于透镜的分辨率。利用投影光学系统进行曝光的光刻机，其可曝光的最小尺寸取决与透镜的分辨率。r>透镜分辨率计算公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1)、对硅片衬底表面进行除杂预处理；/n步骤2)、在除杂预处理后的硅片衬底表面进行光刻涂胶工艺形成一层光刻胶感光层；/n步骤3)、将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行曝光，然后将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行曝光，完成硅片衬底的光刻胶感光层的光刻曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为-5μrad～5μrad；/n步骤4)、对光刻曝光的硅片衬底进行光刻显影工艺，形成...

【技术特征摘要】
1.一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)、对硅片衬底表面进行除杂预处理；
步骤2)、在除杂预处理后的硅片衬底表面进行光刻涂胶工艺形成一层光刻胶感光层；
步骤3)、将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行曝光，然后将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行曝光，完成硅片衬底的光刻胶感光层的光刻曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为-5μrad～5μrad；
步骤4)、对光刻曝光的硅片衬底进行光刻显影工艺，形成硅柱图形。


2.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，步骤1)具体方法为将硅片衬底浸泡在清洗液中，时间为8min～12min，温度为110℃～130℃。


3.根据权利要求2所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，清洗液为质量比为4:1的硫酸和双氧水混合物。


4.根据权利要求3所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，硫酸采用浓硫酸，其中硫酸浓度为98％，双氧水浓度为30％。


5.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，步骤2)具体包括以下步骤：
首先在除杂预处理后的硅片衬底表面通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宁，贺欣，赵永勋，卫路兵，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61