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本发明公开了一种硅柱晶圆光刻方法，通通过将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行旋转曝光，将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行旋转曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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