【技术实现步骤摘要】
一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器
本专利技术属于气体探测
，具体涉及一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器。
技术介绍
气体传感器是一种检测气体浓度的仪器。该仪器适用于存在可燃或有毒气体的危险场所，能长期连续检测空气中被测气体爆炸下限以内的含量。可广泛应用于燃气、石油化工、冶金、钢铁、炼焦、电力等存在可燃或有毒气体的各个行业，是保证财产和人身安全的理想监测仪器。半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。上述气体传感器主要存在如下缺陷...
【技术保护点】
1.一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)的上方设置有半导体异质结(2)，所述半导体异质结(2)的上方设置有多个间隔排列的贵金属块(7),所述基底层(1)与半导体异质结(2)之间还设置有相互间隔的第一电极(3)、第二电极(4)。/n
【技术特征摘要】
1.一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)的上方设置有半导体异质结(2)，所述半导体异质结(2)的上方设置有多个间隔排列的贵金属块(7),所述基底层(1)与半导体异质结(2)之间还设置有相互间隔的第一电极(3)、第二电极(4)。
2.如权利要求1所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体异质结(2)包括半导体层(5)，设置于半导体层(5)上方的多个相互间隔的半导体块(6)。
3.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体块(6)为周期排列。
4.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述贵金属块(7)设置于半导体层(5)的上方。
5.如权利要求4所述的一种贵金属增强型半导体异质结...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘黎明，惠裕充，迟锋，易子川，张智，
申请(专利权)人：电子科技大学中山学院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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