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本发明涉及一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，包括基底层，所述基底层的上方设置有半导体异质结，所述半导体异质结的上方设置有多个间隔排列的贵金属块,所述基底层与半导体异质结之间还设置有相互间隔的第一电极、第二电极；该贵金属增强型半导体异质...
该专利属于电子科技大学中山学院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学中山学院授权不得商用。

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