一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法技术

技术编号:24406350 阅读:82 留言:0更新日期:2020-06-06 07:17
本发明专利技术公开了一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法。包括顶层Al

A constant temperature structure and preparation method for high performance humidity detector

【技术实现步骤摘要】
一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法
本专利技术涉及传感器
,特别涉及一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法。
技术介绍
传统的湿度检测器件结构主要是,将传感信号处理芯片、湿敏电阻、金属焊接区、其他有/无源元器件等分离元器件直接装贴在氮化铝陶瓷基片上,再进行电路焊接,完成电路连接,其结构如图1所示。但该结构的湿度检测器件会存在下述问题:整个器件在自然环境中工作时,随着温度的变化,各组成部分的电性能及物理性能会发生一定的变化,从而影响湿度的检测精度。同时,一些限制器件在高可靠环境或一些特殊领域如:航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、其他野外作业、通讯、工业控制等一些温度变化复杂的环境中应用时,为了保证检测的精度,就需增加一些体积庞大、成本高昂的环境温度控制装置配合使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法。本专利技术能够降低湿敏器件内部各组成部分的相关性能参数指标的温度漂移范围,同时避免了外贴热电阻等温度传感器件,节省出了外贴器件的装配空间,更加有利于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:包括顶层Al

【技术特征摘要】
1.一种高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:包括顶层Al3N4基片(1),顶层Al3N4基片(1)上表面集成有薄膜热敏电阻(2),顶层Al3N4基片(1)下表面集成有TEC单元(3),TEC单元(3)下表面集成有底层Al3N4基片(4);所述的薄膜热敏电阻(2)上表面集成有绝缘介质层(5),绝缘介质层(5)上表面经金属化层(6)粘贴有传感信号处理芯片(7)。


2.根据权利要求1所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:所述的顶层Al3N4基片(1)上表面还集成有由Ni-Cr-Cu-Ni-Cr-Au复合金属薄膜构成的导带和键合区。


3.根据权利要求1所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:TEC单元(3)上、下表面分别经Ni-Cr-Cu-Ni-Cr-Au复合金属薄膜与顶、底层Al3N4基片连接。


4.根据权利要求2或3所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:所述的复合金属薄膜的总厚度为1~2μm,其中金层厚度为0.3~0.8μm。


5.根据权利要求1所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:所述的绝缘介质层(5)是由Al2O3构成的绝缘介质层。


6.根据权利要求1所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:所述的TEC单元(3)由正反面均已进行金金属化和充分合金的PN型半导体晶圆构成。


7.根据权利要求6所述的高性能湿度检测器件用恒温结构,其特征在于:所述的半导体晶圆的厚度为0.3~0.8mm,金金属化层的厚度为1~2μm。


8.一种如权利要求1-7任一项所述的高性能湿度检测器件用恒温结构的制备方法,其特征在于:按下述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张昱昕
申请(专利权)人:中国电建集团贵阳勘测设计研究院有限公司
类型:发明
国别省市:贵州;52

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1