一种拼接CVD金刚石单晶的方法技术

本发明专利技术涉及人造钻石技术领域，且公开了一种拼接CVD金刚石单晶的方法，包括以下步骤：步骤一、准备工具和原料，准备适量的CVD金刚石单晶籽晶，准备X射线衍射谱仪、激光切割机、研磨机和CVD金刚石生长机；步骤二、使用X射线衍射谱仪对多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向进行精确确定；步骤三、根据步骤一中多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向，使用激光切割机依次对多个CVD金刚石单晶籽晶进行激光切割；步骤四、使用研磨机对步骤三中多个激光切割后的CVD金刚石单晶籽晶的切割面进行研磨光滑。该拼接CVD金刚石单晶的方法，通过CVD金刚石在生长过程中会自动修复晶格缺陷的原理解决大块CVD金刚石单晶难以生产的问题。

A method of splicing CVD diamond single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种拼接CVD金刚石单晶的方法
本专利技术涉及人造钻石
，具体为一种拼接CVD金刚石单晶的方法。
技术介绍
CVD金刚石,含碳气体和氧气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成活性金刚石碳原子，并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石(或控制沉积生长条件沉积生长金刚石单晶或者准单晶),由于CVD金刚石中不含任何金属催化剂，因此它的热稳定性接近天然金刚石。同高温高压人工合成聚晶金刚石一样，CVD金刚石晶粒也呈无序排列，无脆性解理面，因此呈现各向同性。CVD金刚石现在被用为刀具材料的一种。目前单晶金刚石合成受到尺寸限制，通常是采用单个天然金刚石或者人工合成的单晶金刚石薄片作为籽晶，在其原始尺寸上进行生长，由于大尺寸单晶金刚石稀有且价格昂贵，从而合成出的金刚石受到籽晶尺寸的限制，由于籽晶边缘缺陷较多且不易控制容易生长出多晶金刚石，使得获得产品的尺寸不会大于原始籽晶的尺寸，因此无法获得大尺寸的单晶金刚石。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种拼接CVD金刚石单晶的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拼接CVD金刚石单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、准备工具和原料，准备适量的CVD金刚石单晶籽晶，准备X射线衍射谱仪、激光切割机、研磨机和CVD金刚石生长机；/n步骤二、使用X射线衍射谱仪对多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向进行精确确定；/n步骤三、根据步骤一中多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向，使用激光切割机依次对多个CVD金刚石单晶籽晶进行激光切割；/n步骤四、使用研磨机对步骤三中多个激光切割后的CVD金刚石单晶籽晶的切割面进行研磨光滑；/n步骤五、将步骤四中研磨后的多个CVD金刚石单晶籽晶依次放置在CVD金刚石生长机中进行生长，能够得到大块完整的CVD金刚石单晶；...

【技术特征摘要】
1.一种拼接CVD金刚石单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、准备工具和原料，准备适量的CVD金刚石单晶籽晶，准备X射线衍射谱仪、激光切割机、研磨机和CVD金刚石生长机；
步骤二、使用X射线衍射谱仪对多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向进行精确确定；
步骤三、根据步骤一中多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向，使用激光切割机依次对多个CVD金刚石单晶籽晶进行激光切割；
步骤四、使用研磨机对步骤三中多个激光切割后的CVD金刚石单晶籽晶的切割面进行研磨光滑；
步骤五、将步骤四中研磨后的多个CVD金刚石单晶籽晶依次放置在CVD金刚石生长机中进行生长，能够得到大块完整的CVD金刚石单晶；
步骤六、将步骤五中大块完整的CVD金刚石单晶外表面的籽晶部分进行切除，得到无接缝的完整CVD金刚石单晶成品。


2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵芬霞，刘宏明，
申请(专利权)人：湖州中芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33