一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法。该制备方法主要利用按一定角度倾斜的匀速旋转可旋转平台，在其上对旋涂在基底（玻璃/硅片）上光刻胶进行曝光，然后显影，坚膜，最后用PDMS倒模，从而制备得到均一圆台状微坑阵列芯片。该芯片可以用于细胞固定，细胞成球培养，拟胚体形成等。该方法相较于现有微坑制备方法操作简单，只需要一次曝光，无需复杂操作，成功率高，批次差异小，能够实现较大的深宽比。

A method of fabrication based on one exposure circular crater array chip

【技术实现步骤摘要】
一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法
本专利技术涉及芯片的微米结构精细加工与制造等领域，涉及一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法，为拟胚体形成和细胞3D培养提供新的手段。
技术介绍
生物体中的大多数细胞呈现三维结构，每个细胞与相邻细胞和细胞外基质(ECM)组分相互作用。细胞/细胞和细胞/ECM相互作用是形态发生，细胞信号传导，细胞活力和功能维持的关键因素。然而，大多数常规细胞培养方法基于2D培养系统。尽管它们已经很成熟，但这些2D单层培养物缺乏紧密的3D细胞/细胞相互作用，因此不能反映真实的体内环境，导致组织特异性丧失，并增加其有效性的不确定性。目前学者常用的形成3D细胞聚集体的方法主要有悬滴法，基底团修饰法，低黏附微坑法，材料包裹法等等。其中微坑法具有易于操作和可通量化的特点，在众多方法中脱颖而出，被广泛使用。微坑芯片的制备方法有很多，如用水珠冻成的冰珠做模板再倒模、利用真空使弹性膜变形再倒模、以及气动法等等。这些方法操作繁琐，并且冰珠模板法，气动法等方法稳定性都不够高，容易使形成的微坑阵列大小不一，批次差异也大，且底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：该制备方法具体步骤如下：/n步骤一、将加热后的光刻胶基底(3)置于可旋转平台(4)上；/n步骤二、调节平台支撑(5)的倾斜度；/n步骤三、曝光模板的选择；/n步骤四、可旋转平台(4)匀速旋转，竖直平行光源曝光；/n步骤五、显影得到圆台状微坑阵列芯片模板；/n步骤六、未固化的PDMS倒在上述步骤五的圆台状微坑阵列芯片模板上，除泡、高温固化；/n步骤七：将上述步骤六中的PDMS剖离，得到圆台状微坑阵列芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：该制备方法具体步骤如下：
步骤一、将加热后的光刻胶基底(3)置于可旋转平台(4)上；
步骤二、调节平台支撑(5)的倾斜度；
步骤三、曝光模板的选择；
步骤四、可旋转平台(4)匀速旋转，竖直平行光源曝光；
步骤五、显影得到圆台状微坑阵列芯片模板；
步骤六、未固化的PDMS倒在上述步骤五的圆台状微坑阵列芯片模板上，除泡、高温固化；
步骤七：将上述步骤六中的PDMS剖离，得到圆台状微坑阵列芯片。


2.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述光刻胶基底(3)材质为玻璃或者硅片。


3.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中光刻胶基底(3)表面光刻胶厚度为：100～800微米。


4.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中光刻胶基底(3)的加热温度为95℃，加热时间为0.5～5h。


5...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦建华，邓鹏伟，姜雷，刘海涛，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21