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本发明涉及一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法。该制备方法主要利用按一定角度倾斜的匀速旋转可旋转平台，在其上对旋涂在基底（玻璃/硅片）上光刻胶进行曝光，然后显影，坚膜，最后用PDMS倒模，从而制备得到均一圆台状微坑阵列芯片。该芯片可...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。

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