实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构制造技术

本发明专利技术涉及硅基场漂移探测器的结构，特别涉及实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，所述互联结构由N个P型注入形成的同心电极圆环，相邻两个同心电极圆环之间通过连接电阻连接形成，连接电阻为P型的沟道电阻，互联的N个P型注入形成的同心电极圆环通过芯片级金属顶层布线，将最内层的同心电极圆环和最外层的同心电极圆环引出，并将这两个同心电极圆环连线的引出端口以压焊PAD的方式，通过键合引线与环形硅基场漂移探测器外部的管壳连接；本发明专利技术中的互联结构，可实现场漂移探测器结构简单、驱动简单、引出端和电压配置的个数少、各电极环电压自动分布、有效探测面积不受引出端口数限制、快速高效探测的目标。

Interconnection structure to realize uniform distribution of electric potential of silicon based field drift detector

【技术实现步骤摘要】
实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构
本专利技术涉及硅基场漂移探测器的结构，特别涉及实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构。
技术介绍
场漂移探测器SDD(SiliconDriftDetector)是一种高灵敏的X射线探测器，由于高阻硅衬底形成的耗尽层深，可以有效探测能量较高、入射深度较深的X射线光子，具有能量分辨率高、暗电流低、噪声低等优点。传统的场漂移探测器SDD以同心圆环、螺旋环等方式呈现。其中同心圆环结构较为普遍，每一个同心圆环为探测器的一个电极，典型宽度20μm～50μm，有效探测面积越大，电极圆环的个数约多。场漂移探测器同一个电极圆环的电压一致，电场由探测器的中心，沿圆形径向方向指向最外环，形成的漂移电场均匀、一致，可以高效的收集X光子信号。但为实现N个同心环电极的电压配置，需将每一个电极环独立引出至管壳亚焊点，并且实现每个电极环独立的驱动供电，这就造成了连接结构复杂、驱动复杂、难以实现大探测面积的缺点。传统螺旋环结构的场漂移探测器，引出端口一般为3～4个，相比同心圆环结构有一定改进。但螺旋环结构，探测靶面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，包括N个P型注入形成的同心电极圆环，相邻两个同心电极圆环之间通过互联电阻连接，形成互联结构。/n

【技术特征摘要】
1.硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，包括N个P型注入形成的同心电极圆环，相邻两个同心电极圆环之间通过互联电阻连接，形成互联结构。


2.根据权利要求1所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，一个互联电阻从圆心向外呈一字型互联从内到外的N个同心电极圆环。


3.根据权利要求2所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联电阻的数量大于等于2，且均匀地分布在同心电极圆环上。


4.根据权利要求1所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联结构电阻为P型的沟道电阻。


5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小东，付智红，涂戈，姜华男，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50