集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法技术

本公开涉及一种包括细丝通孔的集成芯片。在一些实施例中，下部金属层设置在衬底上方。细丝介电层设置在下部金属层上方。上部金属层设置在细丝介电层上方。细丝通孔设置为穿过细丝介电层并且电连接下部金属层和上部金属层。可以在完成形成集成芯片的其他步骤之后建立细丝通孔，因此可以使按比例缩小尺寸的无阻挡铜通孔成为可能。使用所公开的方法，由于细丝形成机制的固有特性，可以实现超比例缩小的通孔(例如，低至1nm)。本发明专利技术的实施例还涉及集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法。

The interconnection structure of integrated chip and the forming method of integrated chip

【技术实现步骤摘要】
集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法
本专利技术的实施例还涉及集成芯片的互连结构以及集成芯片的形成方法。
技术介绍
形成互连结构通常是复杂且昂贵的。它涉及光刻、金属化和蚀刻的多个工艺模块，以形成用于金属层内横向连接的金属线和用于多个金属层之间垂直连接的金属通孔。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成芯片的互连结构，互连结构包括：下部金属层的第一金属线，设置在衬底上方；细丝介电层，设置在下部金属层上方；上部金属层的第一金属线，设置在细丝介电层上；以及第一细丝通孔，设置成穿过细丝介电层并电连接下部金属层的第一金属线和上部金属层的第一金属线，第一细丝通孔包括由导电金属细丝组成的金属点簇。本专利技术的另一实施例提供了一种形成包括互连结构的集成芯片的方法，方法包括：形成彼此堆叠的第一金属层、第一细丝介电层、第一细丝金属层和第二金属层；分别对第二金属层和第一细丝金属层进行图案化以形成离散的部分；以及在第二金属层和第一金属层之间施加第一偏压并且形成第一细丝通孔，第一细丝通孔在第一细丝金属层和第一金属层之间穿过第一细丝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片的互连结构，所述互连结构包括：/n下部金属层的第一金属线，设置在衬底上方；/n细丝介电层，设置在所述下部金属层上方；/n上部金属层的第一金属线，设置在所述细丝介电层上；以及/n第一细丝通孔，设置成穿过所述细丝介电层并电连接所述下部金属层的所述第一金属线和所述上部金属层的所述第一金属线，所述第一细丝通孔包括由导电金属细丝组成的金属点簇。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,292;20190730 US 16/525,9781.一种集成芯片的互连结构，所述互连结构包括：
下部金属层的第一金属线，设置在衬底上方；
细丝介电层，设置在所述下部金属层上方；
上部金属层的第一金属线，设置在所述细丝介电层上；以及
第一细丝通孔，设置成穿过所述细丝介电层并电连接所述下部金属层的所述第一金属线和所述上部金属层的所述第一金属线，所述第一细丝通孔包括由导电金属细丝组成的金属点簇。


2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述下部金属层和所述上部金属层由铜制成。


3.根据权利要求1所述的互连结构，还包括设置在所述细丝介电层和所述上部金属层之间的细丝金属层。


4.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述细丝金属层包括金属硫系化合物。


5.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述细丝金属层具有与所述上部金属层的侧壁垂直对准的侧壁。


6.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述第一细丝通孔直接接触所述细丝金属层的底面和所述下部金属层的所述第一金属线的顶面。


7.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述细丝...

【专利技术属性】
技术研发人员：马礼修，马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71