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本公开涉及一种包括细丝通孔的集成芯片。在一些实施例中，下部金属层设置在衬底上方。细丝介电层设置在下部金属层上方。上部金属层设置在细丝介电层上方。细丝通孔设置为穿过细丝介电层并且电连接下部金属层和上部金属层。可以在完成形成集成芯片的其他步骤之...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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