具有基于MEMS开关的DC-DC转换器的辐射检测器制造技术

一种适合于检测辐射的设备包括：辐射吸收层，包括半导体、第一电触点和第二电触点，第一电触点跨半导体与第二电触点相对定位；DC‑DC转换器，配置成在第一电触点与第二电触点之间施加DC电压，DC‑DC转换器包括微机电开关。

Radiation detector with DC-DC converter based on MEMS switch

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有基于MEMS开关的DC-DC转换器的辐射检测器
本公开涉及辐射检测器，具体来说涉及使用基于电偏压的MEMS开关的DC-DC转换器的辐射检测器。
技术介绍
辐射检测器是测量辐射的性质的装置。性质的示例可包括辐射的强度、相位和极化的空间分布。辐射可以是与受检者进行交互的辐射。例如，由辐射检测器所测量的辐射可以是穿透受检者或者从受检者反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可属于其他类型，例如α射线和β射线。一种类型的辐射检测器基于辐射与半导体之间的交互。例如，这种类型的辐射检测器可具有半导体层(其吸收辐射并且生成载流子(例如电子和空穴))以及用于检测载流子的电路。
技术实现思路
本文所公开的是一种适合于检测辐射的设备，包括：辐射吸收层，包括半导体、第一电触点和第二电触点，第一电触点跨半导体与第二电触点相对定位；DC-DC转换器，配置成在第一电触点与第二电触点之间施加DC电压，DC-DC转换器包括微机电开关。按照实施例，DC-DC转换器包括多级，其中每级包括电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适合于检测辐射的设备，包括：/n辐射吸收层，包括半导体、第一电触点和第二电触点，所述第一电触点跨所述半导体与所述第二电触点相对定位；/nDC-DC转换器，配置成在所述第一电触点与所述第二电触点之间施加DC电压，所述DC-DC转换器包括微机电开关。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种适合于检测辐射的设备，包括：
辐射吸收层，包括半导体、第一电触点和第二电触点，所述第一电触点跨所述半导体与所述第二电触点相对定位；
DC-DC转换器，配置成在所述第一电触点与所述第二电触点之间施加DC电压，所述DC-DC转换器包括微机电开关。


2.如权利要求第1项所述的设备，其中，所述DC-DC转换器包括多级，其中每级包括电容器以及所述微机电开关的至少一个。


3.如权利要求第1项所述的设备，其中，所述DC-DC转换器配置成接收时钟信号，并且采用所述时钟信号及其倒相来控制所述微机电开关。


4.如权利要求第1项所述的设备，其中，所述微机电开关的每个包括悬壁梁、电触点和控制电极。


5.如权利要求第4项所述的设备，其中，所述微机电开关配置成通过改变所述控制电极上的电压来断开或闭合。


6.如权利要求第1项所述的设备，其中，所述微机电开关包括硅、SiO2、Si3N4、多晶硅或者其组合。


7.如权利要求第1项所述的设备，其中，所述第一电触点和所述第二电触点配置成收集所述辐射吸收层所吸收的辐射粒子所生成的载流子。


8.如权利要求第1项所述的设备，还包括：
第一电压比较器，配置成将所述第二电触点的电压与第一阈值进行比较；
第二电压比较器，配置成将所述电压与第二阈值进行比较；
计数器，配置成记录所述辐射吸收层所吸收的辐射粒子的数量；
控制器；
其中所述控制器配置成从所述电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；
其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；
其中所述控制器配置成在所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时，使所述计数器所记录的所述数值增加一。


9.如权利要求第1项所述的设备，还包括电容器模块，其电连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹培炎，
申请(专利权)人：深圳帧观德芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44