半导体辐射检测器制造技术

技术编号:46060130 阅读:7 留言:0更新日期:2025-08-11 15:45
一种辐射检测器(100),包括:辐射吸收层(110),被配置为吸收辐射;离散的多个第一电极(119A),位于辐射吸收层(110)的一表面上;第二电极(119B),位于辐射吸收层(110)的该表面上;其中,多个第一电极(119A)中的每一个第一电极都被第二电极(119B)包围;其中,多个第一电极(119A)不延伸至辐射吸收层(110)中,并且,第二电极(119B)不延伸至辐射吸收层(110)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

0、
技术介绍

1、辐射检测器可以是用于测量辐射的通量、空间分布、光谱或其他特性的设备。

2、辐射检测器可以用于许多应用。一项重要的应用是成像。辐射成像是一种放射摄影技术,并能够用于揭示非均匀组成和不透明的物体(例如人体)的内部结构。

3、早期用于成像的辐射检测器包括照相底片和照相胶片。照相底片可以是具有感光乳剂涂层的玻璃底片。尽管照相底片已被照相胶片取代,但由于它们提供的卓越品质和极高的稳定性,在特殊情况下仍然可能使用它们。照相胶片可以是具有感光乳剂涂层的塑料胶片(例如,条带或片材)。

4、20世纪80年代,光激励荧光板(psp板)问世。psp板可以包含在其晶格中具有色心的荧光材料。当psp板暴露于辐射时,被辐射激发的电子被捕获在色心中,直到它们被扫描于psp板的表面的激光束激励。当激光扫描psp板时,被捕获的激发电子发出光,其被光电倍增管收集。所收集的光被转换成数字图像。与照相底片和照相胶片相比,psp板可以被重复使用。

5、另一种辐射检测器是辐射图像增强器。辐射图像增强器的部件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种辐射检测器,包括:

2.根据权利要求1所述的辐射检测器,其中,位于所述表面上且连接所述多个第一电极中的任意两个第一电极的任何线都横越所述第二电极。

3.根据权利要求1所述的辐射检测器,其中,所述辐射吸收层包括III-V族半导体。

4.根据权利要求3所述的辐射检测器,其中,所述III-V族半导体是GaAs或CdZnTe。

5.根据权利要求1所述的辐射检测器,还包括位于所述表面的多个保护环,其中,所述多个第一电极中的每一个第一电极都被所述多个保护环中的至少一个保护环包围;其中,所述多个保护环是导电材料的环。

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种辐射检测器,包括:

2.根据权利要求1所述的辐射检测器,其中,位于所述表面上且连接所述多个第一电极中的任意两个第一电极的任何线都横越所述第二电极。

3.根据权利要求1所述的辐射检测器,其中,所述辐射吸收层包括iii-v族半导体。

4.根据权利要求3所述的辐射检测器,其中,所述iii-v族半导体是gaas或cdznte。

5.根据权利要求1所述的辐射检测器,还包括位于所述表面的多个保护环,其中,所述多个第一电极中的每一个第一电极都被所述多个保护环中的至少一个保护环包围;其中,所述多个保护环是导电材料的环。

6.根据权利要求5所述的辐射检测器,其中,所述多个保护环中的每一个保护环都被所述第二电极包围。

7.根据权利要求5所述的辐射检测器,其中,位于所述表面上且连接所述多个保护环中的包围所述多个第一电极中的不同的第一电极的任意两个保护环的任何线都横越所述第二电极。

8.根据权利要求5所述的辐射检测器,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹培炎
申请(专利权)人:深圳帧观德芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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