一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，机架的工作平台上设有等离子腔，等离子腔下端的开口处设有腔体法兰，工作平台下方的机架上竖直设有导轨，升降机构包括设置在导轨上由电机驱动的升降座，升降座的一侧设有水平结构的升降台，升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，等离子体CVD装置的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应。本实用新型专利技术的升降机构在腔内台升降时具有缓冲功能，等离子腔密封性好且升降机构的使用寿命长，具有很高的实用价值。

A lifting mechanism of the inner stage of the plasma CVD device

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构
本技术属于化学气相沉积
，具体涉及一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构。
技术介绍
化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入等离子腔内进行加热，在等离子腔内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在等离子腔内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。现有技术的微波CVD设备结构复杂，且升降机构与等离子腔之间不设缓冲机构，等离子腔封闭时升降法兰与等离子腔之间为刚性接触，容易影响升降机构的使用寿命或等离子腔的密封性。公开日为2011年12月7日，公开号为CN102272350A的中国专利文件公开了一种等离子CVD装置，具有第一真空室部件，其具有与第一方向交叉的第一侧面，该第一侧面上形成有第一开口；第二真空室部件，其具有与上述第一方向交叉的第二侧面，所述第二侧面上形成有第二开口，在上述第一方向上与上述第二侧面面对着的第三侧面，当上述第二侧面与上述第一侧面接合时，在上述第一真空室部件和上述第二真空室部件的内部形成包括上述第一、第二开口在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，设置在机架（1）上，所述机架的工作平台（2）上设有等离子腔（3），等离子腔的下端设有开口，开口处设有腔体法兰（4），其特征是，所述工作平台下方的机架上竖直设有导轨（5），所述升降机构包括设置在导轨上的升降座（6），所述升降座由电机（7）驱动，升降座的一侧设有水平结构的升降台（8），升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰（9），升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，等离子体CVD装置的腔内台（10）通过支撑管（11）固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应；升降机构还包括限位开关，所述限位开关连接电机。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，设置在机架（1）上，所述机架的工作平台（2）上设有等离子腔（3），等离子腔的下端设有开口，开口处设有腔体法兰（4），其特征是，所述工作平台下方的机架上竖直设有导轨（5），所述升降机构包括设置在导轨上的升降座（6），所述升降座由电机（7）驱动，升降座的一侧设有水平结构的升降台（8），升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰（9），升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，等离子体CVD装置的腔内台（10）通过支撑管（11）固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应；升降机构还包括限位开关，所述限位开关连接电机。


2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置的腔内台升降机构，其特征在于，所述缓冲机构包括固定在升降法兰底面的若干根导柱（12），导柱上套设有弹簧（13），升降台上设有与导柱对应的导套（14），导柱穿过所述的导套，其下端固定在升降台下方设置的上固定环（15）上。


3.根据权利要求2所述的等离子体CVD装置的腔内台升降机构，其特征在于，所述的导柱为3-6根，在升降法兰底面环绕中心均匀布置，所述的导套固定在升降台的底面，所述的上固定环位于导套的下侧。


4.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置的腔内台升降机构，其特征在于，所述的升降座上设有丝杆螺套（16），丝杆螺套与竖直设置的升降丝杆（17）螺接，升降丝杆的下端与固定在机架上的电机连接，丝杆的上端枢接在机架的工作平台上。


5.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置的腔内台升降机构，其特征在于，升降台上设有腔内台高度微调装置，所述腔内台高度微调装置包括设置在升...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵月，洪丽，公占飞，
申请(专利权)人：湖上产业发展集团有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33