【技术实现步骤摘要】
显示基板及显示装置
本技术涉及显示
,特别是指一种显示基板及显示装置。
技术介绍
LTPS(LowTemperaturePoly-Silicon,低温多晶硅)TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)具有高迁移率的优点,但同时也具有漏电流高、功耗大的缺点,LTPO(低温多晶氧化物)结构可以通过在Driving(驱动)TFT上适用LTPSTFT、Switching(开关)TFT上适用Oxide(氧化物)TFT的特殊构成改善LTPSTFT结构的不足,以较低的驱动频率(1~30Hz),达到降低功耗的目的。但复杂的TFT结构会导致像素开口率降低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及显示装置,能够提高显示装置的开口率。为解决上述技术问题,本技术的实施例提供技术方案如下:一方面,提供一种显示基板,包括位于衬底基板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述驱动薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。可选地, ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括位于衬底基板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述驱动薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括位于衬底基板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述驱动薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管采用氧化物薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管采用低温多晶硅薄膜晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在所述开关薄膜晶体管采用氧化物薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管采用低温多晶硅薄膜晶体管时,所述驱动薄膜晶体管的栅极位于所述氧化物薄膜晶体管的有源层朝向所述衬底基板的一侧,且所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述驱动薄膜晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影内。
5.根据权利要求3所述的显...
【专利技术属性】
技术研发人员:金兴植,曹鑫,陈竹,刘红灿,朱亚威,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,绵阳京东方光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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