一种高电容结构的阵列基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种具有高电容结构的阵列基板，包括：在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板；本方案的具有高电容结构的薄膜场效应晶体管，高电容结构驱动下的电路具有更好的稳压效果，可以增大储存电容的容值同时减小电容的占用面积，也具有提高面板像素密度(ppi)与缩小面板边框尺寸的优势。

A high capacitance array substrate

【技术实现步骤摘要】
一种高电容结构的阵列基板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种高电容结构的阵列基板。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的快速发展，值得许多高分辨率和高帧速的显示器。阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量电容，但大容量的电容造成驱动电路的占用面积大，从而无法进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。IGZO(indiumgalliumzincoxide)为铟镓锌氧化物，是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
技术实现思路
为此，需要提供一种高电容结构的阵列基板，解决制作显示器设备时配备高电容时面积占用过大的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高电容结构的阵列基板，其特征在于，包括：/n在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；/n在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板，第一电极绝缘层覆盖第一电极并作为下层电容结构的介质层，第二电极在第一电极绝缘层上并作为上下层电容结构的共用极板，第二电极绝缘层覆盖第二电极并作为上层电容结构的介质层，第三电极在第二电极绝缘层上并作为上层电容结构的极板。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有高电容结构的阵列基板，其特征在于，包括：
在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；
在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板，第一电极绝缘层覆盖第一电极并作为下层电容结构的介质层，第二电极在第一电极绝缘层上并作为上下层电容结构的共用极板，第二电极绝缘层覆盖第二电极并作为上层电容结构的介质层，第三电极在第二电极绝缘层上并作为上层电容结构的极板。...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳华琦，陈宇怀，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35