高阻抗RF MEMS传输设备及其制造方法技术

一种RF传输系统包括：RF源，提供RF输入；以及一个或多个RF MEMS传输设备，其耦接到RF源以从其接收RF输入并生成传输到RF负载的输出信号。每个RF MEMS传输设备包括：基板；导线，形成在基板上以在RF MEMS传输设备的信号输入端和RF MEMS传输设备的信号输出端之间提供信号传输路径；以及多个开关元件，沿着导线定位并且可被选择性地控制以限定信号输入端和信号输出端之间的信号传输路径。RF源和RF负载中的每一个具有第一特性阻抗，并且一个或多个RF MEMS传输设备具有大于第一特性阻抗的第二特性阻抗。

High impedance RF MEMS transmission equipment and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高阻抗RFMEMS传输设备及其制造方法
本专利技术的实施例总体上涉及射频(RF)通信系统，并且更具体地涉及具有选择性地增加的特性阻抗以减小插入损耗的RF微机电系统(MEMS)通信系统，并且该系统的结构也提供在其制造期间的提高的成品率。
技术介绍
RFMEMS设备是一种技术，其最一般的形式可以被定义为使用电致动的机械运动来实现RF传输线中的开路或闭路的微型设备。当RFMEMS设备处于导通位置时，RF传输线“闭合”，并且RFMEMS设备可用于传导高频RF信号。公认的是，由于RFMEMS设备具有期望的RF特性，包括低辐射损耗、低电容性开态耦合(300fFd)和非常小的机械几何形状(76um)，从而使电感性寄生效应最小且接触电阻相对较低(1欧姆)，所以对于在开路和闭路之间提供这种切换能力而言，RFMEMS设备是理想的。RFMEMS设备的一种应用是在电子转向天线(ESA)系统中使用，该系统将来自多个固定天线元件的信号组合起来，以一定角度在空间中指向一束无线电波。可以在不物理移动天线的情况下经由沿不同方向对波束进行电子转向来控制波束的特性和角度，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频(RF)传输系统，包括：/nRF源，提供RF输入；/n一个或多个RF微机电系统(MEMS)传输设备，耦接到所述RF源以从其接收所述RF输入并生成用于传输到RF负载的输出信号，其中，一个或多个所述RF MEMS传输设备中的每一个包括：/n基板；/n导线，形成在所述基板上，以在所述RF MEMS传输设备的信号输入端和所述RF MEMS传输设备的信号输出端之间提供信号传输路径；以及/n多个开关元件，沿着所述导线定位并且能够被选择性地控制以限定所述信号输入端和所述信号输出端之间的所述信号传输路径；/n其中，所述RF源和所述RF负载中的每一个具有第一特性阻抗，并且一个或多个所述RFMEMS传...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171018 US 15/786,6961.一种射频(RF)传输系统，包括：
RF源，提供RF输入；
一个或多个RF微机电系统(MEMS)传输设备，耦接到所述RF源以从其接收所述RF输入并生成用于传输到RF负载的输出信号，其中，一个或多个所述RFMEMS传输设备中的每一个包括：
基板；
导线，形成在所述基板上，以在所述RFMEMS传输设备的信号输入端和所述RFMEMS传输设备的信号输出端之间提供信号传输路径；以及
多个开关元件，沿着所述导线定位并且能够被选择性地控制以限定所述信号输入端和所述信号输出端之间的所述信号传输路径；
其中，所述RF源和所述RF负载中的每一个具有第一特性阻抗，并且一个或多个所述RFMEMS传输设备具有大于所述第一特性阻抗的第二特性阻抗。


2.根据权利要求1所述的RF传输系统，还包括：
第一阻抗变换器，位于所述RF源与一个或多个所述RFMEMS传输设备之间，以增加所述RF源的所述第一特性阻抗并将所述RF源的所述第一特性阻抗与一个或多个所述RFMEMS传输设备的所述第二特性阻抗相匹配；以及
第二阻抗变换器，位于一个或多个所述RFMEMS传输设备与所述RF负载之间，以减小一个或多个所述RFMEMS传输设备的所述第二特性阻抗并将一个或多个所述RFMEMS传输设备的所述第二特性阻抗与所述RF负载的所述第一特性阻抗匹配。


3.根据权利要求2所述的RF传输系统，其中，所述第一阻抗变换器和所述第二阻抗变换器被设置为与所述RFMEMS传输设备分离的部件，或者被形成在所述RFMEMS传输设备的所述基板上从而成为所述RFMEMS传输设备的一部分。


4.根据权利要求1所述的RF传输系统，其中，所述RF源和所述RF负载的所述第一特性阻抗为约50欧姆，并且一个或多个所述RFMEMS传输设备的所述第二特性阻抗为约150欧姆。


5.根据权利要求4所述的RF传输系统，其中，所述基板具有一厚度，并且所述导线各自具有一长度、一宽度和一厚度，并且其中，所述基板的厚度和所述导线的宽度中的至少一项使得当结合所述基板的厚度及所述导线的长度、宽度和厚度中的其他方面考虑时，所述RFMEMS传输设备的特性阻抗约为150欧姆。


6.根据权利要求5所述的RF传输系统，其中，所述基板的厚度在100微米至500微米之间。


7.根据权利要求5所述的RF传输系统，其中，导电信号线的宽度在20微米至200微米之间。


8.根据权利要求1所述的RF传输系统，其中，与在所述第一特性阻抗下的操作相比，一个或多个所述RFMEMS传输设备在所述第二特性阻抗下的操作降低了其中的插入损耗。


9.根据权利要求1所述的RF传输系统，其中，一个或多个所述RFMEMS传输设备中的每一个包括真实时间延迟(TTD)模块，其中，所述多个开关元件包括：
输入开关元件，位于多个时间延迟线中的每一个的第一端；以及
输出开关元件，位于所述多个时间延迟线中的每一个的第二端；
所述输入开关元件和所述输出开关元件能够在导通和非导通状态之间被选择性地控制，以在所述信号输入端和所述信号输出端之间形成不同长度的信号传输路径。


10.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·艾尔弗雷德·扬诺蒂，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国;US