传输线偏压电阻器制造技术

提供了用于在传输线上传递的射频(RF)信号中引入DC偏压的系统和方法。在一个示例实现中，RF系统可以包括具有第一端口和第二端口的传输线。传输线可以配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号。一个或多个DC偏压电阻器可以在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线。每个DC偏压电阻器可以提供用于将DC电流注入到传输线以提供用于RF信号的DC偏压的路径。每个DC偏压电阻器可以经由点连接耦合到传输线。

Transmission line bias resistor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传输线偏压电阻器优先权声明本申请要求于2017年8月2日提交的题为“TransmissionLineBiasResistor”的美国临时专利申请序号62/540,366的优先权的权益，将其通过引用包括于此。
技术介绍
传输线可以用于在RF系统中的组件之间传递RF信号。例如，可以在印刷电路板上提供传输线(例如，布线)以将RF信号传递到各种器件。在一些情况下，可以期望将宽频率范围内的DC偏压添加到沿着传输线发送的RF信号。锥形电感器已被用于将DC电流注入到传输线中，以用于更高频率的应用。
技术实现思路
本公开的一个示例方面涉及射频(RF)系统。RF系统可以包括配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号的传输线。一个或多个DC偏压电阻器可以在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线。每个DC偏压电阻器可以提供用于将DC电流注入到传输线，以提供用于RF信号的DC偏压的路径。每个DC偏压电阻器可以经由点连接耦合到传输线。本公开的其他特征和方面在下面更具体地说明。附图说明在参考附图的说明书的其余部分中，更具体地说明针对本领域技术人员的本公开的包括其最佳实施方式的完整和使能公开，在附图中：图1示出根据本公开的示例实施例的示例RF系统的电路图；图2示出根据本公开的示例实施例的示例RF系统；图3示出根据本公开的示例实施例的在基底上实现的示例RF系统；图4示出根据本公开的示例实施例的实现为表面安装器件的一部分的示例RF系统；图5示出用于根据本公开的示例实施例的示例RF系统的示例模拟插入损耗；和在本说明书和附图中参考字符的重复使用意在表示本公开的相同或者相似的特征或元件。具体实施方式本领域技术人员将理解本讨论仅是示例实施例的描述，且不意在限制本公开的更宽泛的方面，该更宽泛的方面具体表现为示例性结构。本公开的示例方面涉及用于在经传输线传递的RF信号中注入DC偏压电流的系统和方法。例如，RF系统可以包括配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号的传输线。一个或多个DC偏压电阻器可以在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线。一个或多个DC偏压电阻器中的每一个可以提供用于将DC电流注入到RF信号中以提供DC偏压的路径。根据本公开的示例方面，一个或多个DC偏压电阻器中的每一个可以使用小的点连接而耦合到传输线(例如，在第一端口和第二端口之间的位置)。点连接指的是相对于传输线和DC偏压电阻器的尺寸，具有与传输线的小接触点的连接。例如，在一些实施例中，点连接可以具有小于传输线的长度的大约5％的长度(例如，与传输线的接触的长度)，比如小于传输线的长度的大约2％，比如小于传输线的长度的大约1％，比如小于传输线的长度的大约0.5％。如在此使用的，术语“大约”结合数值的使用意在表示数值的20％以内。通过使用小的点连接，DC偏压电流可以在宽的频率范围(例如，大约500MHz到大约40GHz)上，经由DC偏压电阻器注入到RF信号中，同时关于性能参数(例如，插入损耗)影响减小。以这种方式，可以在经传输线传递的RF信号中将DC偏压电流提供给RF系统中的有源器件，比如高频晶体管、光学传感器、激光二极管、专用集成电路(ASIC)或者耦合到传输线的其他器件。在一些实施例中，DC偏压电阻器可以通过使用尖端接触来耦合到传输线。尖端接触可以形成DC偏压电阻器的一部分，或者可以是在DC偏压电阻器和传输线之间耦合的单独的结构。尖端接触可以具有适于提供DC偏压电阻器和传输线之间的点连接的形状。例如，尖端接触可以是锥形的，以使得尖端接触的窄的部分耦合到传输线。在一些实施例中，尖端接触可以具有三角形。三角形的点可以耦合到传输线。在不脱离本公开的范围的情况下，尖端接触可以具有适于提供点连接的其他适当的形状。在一些实施例中，第一DC偏压电阻器可以经由第一尖端接触而耦合到传输线。第二DC偏压电阻器可以经由第二尖端接触而耦合到传输线。第一尖端接触和第二尖端接触中的每一个可以提供与传输线的点连接。在某些实现中，第一DC偏压电阻器和第二DC偏压电阻器可以关于传输线彼此镜像。当例如使用表面安装器件实现RF系统时，这可以提供RF系统的更好的对称性。在示例实施例中，根据本公开的示例实施例的RF系统可以以配置为安装到基底，比如印刷电路板的表面安装器件来实现。例如，多端口表面安装器件可以包括用于在第一端口和第二端口之间传递RF信号的传输线。传输线可以实现为提供在适当的电介质基底(比如氮化铝、氧化铝或者其他材料)上的导电布线。传输线可以具有适于传递与各种频率(比如在大约500MHz和大约40GHz之间的频率)相关联的RF信号的尺寸。在一些实施例中，传输线可以以接地面之上的表面安装器件来实现。第一接触焊盘(pad)可以耦合到传输线的第一端以提供第一端口。第二接触焊盘可以耦合到传输线的第二端以提供第二端口。接触焊盘可以由适当的导电材料(比如铜或者其他导电材料)制成。薄膜DC偏压电阻器可以经由根据本公开的示例实施例的尖端接触而耦合到传输线。薄膜DC偏压电阻器可以在第一端口和第二端口之间的位置处经由尖端接触而耦合到传输线。薄膜偏压电阻器可以提供用于将DC偏压电流注入到经传输线传递的RF信号中的路径。在一些实施例中，薄膜电阻器可以由CrSi材料或者其他适当的材料制成。在一些实施例中，薄膜电阻器可以具有大约1k欧姆的值。在示例实施例中，第一薄膜DC偏压电阻器可以经由第一尖端连接而耦合到传输线。第二薄膜DC偏压电阻器可以经由第二尖端连接而耦合到传输线。表面安装器件可以包括耦合到第一薄膜DC偏压电阻器的第三接触焊盘。表面安装器件可以包括耦合到第二薄膜DC偏压电阻器的第四接触焊盘。根据本公开的示例实施例的表面安装器件(例如，表面安装器件的接触焊盘)可以使用任何适当的连接而电气地耦合到基底(比如印刷电路板)上的其他组件。例如，表面安装器件可以包括球形网格阵列(BGA)连接或者其他适当的连接。以下为了说明和讨论的目的提供示例实施例。本公开的一个示例实施例涉及射频(RF)系统。RF系统包括配置为在第一端口和第二端口之间传递(例如，与大约500MHz到大约40GHz之间的频率相关联的)RF信号的传输线。RF系统包括在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线的一个或多个DC偏压电阻器。每个DC偏压电阻器提供用于将DC电流注入到传输线以提供用于RF信号的DC偏压的路径。每个DC偏压电阻器可以使用点连接耦合到传输线。可以对本公开的该示例实施例做出变化和修改。例如，在一些实施例中，点连接可以具有小于传输线的长度的大约5％的长度，比如小于大约2％，比如小于大约1％，比如小于大约0.5％。在一些实施例中，RF系统可以包括耦合到传输线的DC屏蔽电容器。在一些实施例中，点连接可以使用尖端接触实现。尖端接触可以是锥形的。在某些实例中，尖端接触可以具有三角形。三角形的点可以耦合到传输线。在一些实施例中，尖端接触形成DC偏压电阻器的一部分。在一些实施例中，尖端接触是耦合在DC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频(RF)系统，所述RF系统包括：/n传输线，配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号；/n一个或多个DC偏压电阻器，在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线，每个DC偏压电阻器提供用于将DC电流注入到传输线以提供用于RF信号的DC偏压的路径；/n其中，每个DC偏压电阻器经由点连接耦合到传输线。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170802 US 62/540,3661.一种射频(RF)系统，所述RF系统包括：
传输线，配置为在第一端口和第二端口之间传递RF信号；
一个或多个DC偏压电阻器，在第一端口和第二端口之间的位置处耦合到传输线，每个DC偏压电阻器提供用于将DC电流注入到传输线以提供用于RF信号的DC偏压的路径；
其中，每个DC偏压电阻器经由点连接耦合到传输线。


2.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述点连接具有小于传输线的长度的大约5％的长度。


3.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述点连接使用尖端接触实现。


4.如权利要求3所述的RF系统，其中，所述尖端接触是锥形的。


5.如权利要求3所述的RF系统，其中，所述尖端接触具有三角形，其中，所述三角形的点耦合到传输线。


6.如权利要求3所述的RF系统，其中，所述尖端接触形成DC偏压电阻器的一部分。


7.如权利要求3所述的RF系统，其中，所述尖端接触是在DC偏压电阻器和传输线之间耦合的结构。


8.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述传输线配置为传递具有在大约500MHz到大约40GHz范围内的频率的RF信号。


9.如权利要求1所述的RF系统，进一步包括耦合到传输线的DC屏蔽电容器。


10.如权利要求1所述的RF系统，其中，一个或多个DC偏压电阻器包括经由第一尖端接触耦合到传输线的第一DC偏压电阻器和经由第二尖端接触耦合到传输线的第二DC偏压电阻器，其中，所述第一DC偏压电阻器和所述第一尖端接触关于传输线与所述第二DC偏压电阻器和所述第二尖端接触镜像。


11.如权利要求1所述的RF系统，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：G科罗尼，
申请(专利权)人：阿维科斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US