氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶制造技术

本发明专利技术提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明专利技术的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明专利技术包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

Oxide semiconductor films, thin film transistors and sputtering targets

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶
本专利技术涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶。
技术介绍
非晶氧化物半导体，例如与非晶硅半导体相比，形成薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)时的载流子迁移率高。另外，非晶氧化物半导体光学带隙大，可见光的透射性高。此外，非晶氧化物半导体的薄膜与非晶硅半导体相比，能够以低温成膜。利用这些特征，可期待非晶氧化物半导体薄膜，面向高分辨率并能够高速驱动的下一代的大型显示器，和要求以低温成膜的使用了树脂基板的柔性显示器的应用。作为这样的非晶氧化物半导体薄膜，公知的是含有铟、镓、锌和氧的In－Ga－Zn－O(IGZO)非晶氧化物半导体薄膜(例如参照日本特开2010－219538号公报)。使用了非晶硅半导体的薄膜晶体管的载流子迁移率为0.5cm2/Vs左右，相对于此，使用上述公报所述的IGZO非晶氧化物半导体薄膜的TFT具有1cm2/Vs以上的迁移率。此外作为迁移率提高了的非晶氧化物半导体薄膜，公知的是含有铟、镓、锌及锡的氧化物半导体薄膜(例如参照日本特开2010－118407号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物半导体薄膜，其中，/n含有In、Zn和Fe，/n相对于In、Zn和Fe的合计原子数，/nIn的原子数为20atm％以上且89atm％以下，/nZn的原子数为10atm％以上且79atm％以下，/nFe的原子数为0.2atm％以上且2atm％以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171129 JP 2017-229663;20180824 JP 2018-1575711.一种氧化物半导体薄膜，其中，
含有In、Zn和Fe，
相对于In、Zn和Fe的合计原子数，
In的原子数为20atm％以上且89atm％以下，
Zn的原子数为10atm％以上且79atm％以下，
Fe的原子数为0.2atm％以上且2atm％以下。


2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中，
相对于In、Zn和Fe的合计原子数，
In的原子数为34atm％以上且80atm％以下，
Zn的原子数为18atm％以上且65atm％以下，
Fe的原子数为0.2atm％以上且1.8atm％以下。


3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中，
相对于In、Zn和Fe的合计原子数，
In的原子数为...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺前裕美，后藤裕史，越智元隆，日野绫，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：日本;JP