用于制造透明导电膜的方法技术

根据本申请的一个示例性实施方案的制造透明导电膜的方法包括准备基底；以及在所述基底上形成包含由式1表示的化合物的薄膜，其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的RF溅射工艺来进行。

Method for making transparent conductive film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造透明导电膜的方法
本申请要求于2017年12月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0177885号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本申请涉及制造透明导电膜的方法。
技术介绍
透明导电膜为具有高透光率和导电特性的薄膜，并且广泛用作施加电压的公用电极或像素电极，例如液晶显示器、电致变色显示器(ECD)、有机电致发光元件、太阳能电池、等离子体显示面板、柔性显示器、电子纸和触摸面板。在透明导电氧化物(TCO)中，重要的是设计在透射可见光区域的光的同时具有高导电性的材料。为了使TCO在可见光区域(波长为400nm至700nm)中透明，电子能带隙应为3.1eV或更大，其为400nm波长的电磁波能量。满足这样的特性的典型氧化物半导体为ZnO(3.3eV)、In2O3(3.7eV)、和SnO2(3.6eV)。通常，TCO在可见光区域中具有80％或更大的透光率，并且作为电特性的电阻率具有约10-4Ωcm或更小的值。为了找到待用于这样的TCO的材料，迄今为止主要进行了对在各种材料中进行掺杂和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括：/n准备基底；以及/n在所述基底上形成包含由下式1表示的化合物的薄膜，/n其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的RF溅射工艺来进行，/n[式1]/nBa

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 KR 10-2017-01778851.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括：
准备基底；以及
在所述基底上形成包含由下式1表示的化合物的薄膜，
其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的RF溅射工艺来进行，
[式1]
BapLaqSnmOn
在式1中，
p、q、m和n为原子含量比，
p、m和n各自独立地大于0且为6或更小，以及
q为0至1。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为玻璃基底、硅基底或塑料基底。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东明，文钟敏，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR