化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备制造技术

技术编号:24341169 阅读:41 留言:0更新日期:2020-06-02 23:59
公开了化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备,所述化合物由化学式1A或1B表示。在化学式1A或1B中,X

Compounds, organic films, thin film transistors and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0147721的优先权和权益,将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了化合物、有机薄膜、薄膜晶体管、以及电子设备(器件)。
技术介绍
平板显示器例如液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)显示器包括薄膜晶体管(TFT),薄膜晶体管是作为开关(转换器)的三端元件。正在积极地进行关于作为一个种类的薄膜晶体管的包括有机半导体例如小分子半导体或聚合物半导体代替无机半导体例如硅(Si)半导体的有机薄膜晶体管(OTFT)的研究。有机薄膜晶体管可由于有机材料的特性而被制成纤维或膜,且因此作为用于柔性显示设备的核心元件正在引起关注。有机薄膜晶体管可使用溶液工艺例如喷墨印刷制造,并且可容易地应用于其中沉积工艺具有限制的大面积平板显示器。
技术实现思路
一种实施方式提供可应用于电子设备例如薄膜晶体管的化合物。另一实施方式提供包括所述化合物的有机薄膜。还一实施方式提供包括所述化合物的薄膜晶体管。又一实施方式提供包括所述化合物或所述薄膜晶体管的电子设备。根据一种实施方式,提供由化学式1A或1B表示的化合物。在化学式1A或1B中,X1和X2彼此不同且独立地为O、S、Se、Te、或NRa,Ar1为至少一个取代或未取代的苯、至少一个取代或未取代的呋喃、至少一个取代或未取代的噻吩、至少一个取代或未取代的硒吩、至少一个取代或未取代的碲吩、或前述基团的两个或更多个的稠环,R1和R2彼此不同和/或R3和R4彼此不同,R1至R4和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合,和n1为0或1。X1和X2之一可为Se或Te。在一些实施方式中,Ar1可包括取代或未取代的呋喃、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的硒吩、和取代或未取代的碲吩的至少一种。在一些实施方式中,Ar1可包括由取代或未取代的在组1中列出的基团表示的结构。[组1]在组1中,Y1和Y2独立地为O、S、Se、和Te之一,以及*为与化学式1A或1B的连接点。化学式1A或1B的X1和X2的至少一个可分别与组1中列出的Y1和Y2不同。X1和X2之一可为Se或Te,且Y1和Y2可独立地为O或S。在一些实施方式中,R1和R2之一可为氢且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合。在一些实施方式中,R1和R2之一可为取代或未取代的C1-C30直链烷基、取代或未取代的C2-C30直链烯基、取代或未取代的C2-C30直链炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、或其组合,且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C4-C30支化烷基、取代或未取代的C4-C30支化烯基、取代或未取代的C4-C30支化炔基、或其组合。在一些实施方式中,R1和R2之一可为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、或其组合,且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、或其组合。在一些实施方式中,R1和R2之一可为取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、或其组合,且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、或其组合。在一些实施方式中,R1和R2之一可包括由化学式2A至2C之一表示的结构。在化学式2A、2B、或2C中,Z1至Z3独立地为N或CRb,Z1至Z3之一为N,X3为O、S、Se、Te、NRc、CRdRe、或SiRfRg,m1为范围0-5的整数,m2为范围0-3的整数,R5至R9和Rb至Rg独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合、或者与化学式1A或1B的连接点,当R5为两个或更多个时,各R5可相同或不同且两个相邻的R5可独立地存在或彼此连接以形成环,和当R9为两个或更多个时,各R9可相同或不同且两个相邻的R9可独立地存在或彼此连接以形成环。在一些实施方式中,X1和X2之一可为Se或Te,R1和R2之一可为氢,且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合。在一些实施方式中,X1和X2之一可为Se或Te,R1和R2之一可为取代或未取代的C1-C30直链烷基、取代或未取代的C2-C30直链烯基、取代或未取代的C2-C30直链炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、或其组合,且R1和R2的另一个可为取代或未取代的C4-C30支化烷基、取代或未取代的C4-C30支化烯基、取代或未取代的C4-C30支化炔基、或其组合。在一些实施方式中,X1和X2之一可为Se或Te,R1和R2之一可为取代本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.由化学式1A或1B表示的化合物:/n

【技术特征摘要】
20181126 KR 10-2018-01477211.由化学式1A或1B表示的化合物:



其中,在化学式1A或1B中,
X1和X2彼此不同且独立地为O、S、Se、Te、或NRa,
Ar1为至少一个取代或未取代的苯、至少一个取代或未取代的呋喃、至少一个取代或未取代的噻吩、至少一个取代或未取代的硒吩、至少一个取代或未取代的碲吩、或前述基团的两个或更多个的稠环,
R1和R2彼此不同和/或R3和R4彼此不同,
R1至R4和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合,以及
n1为0或1。


2.如权利要求1所述的化合物,其中X1和X2之一为Se或Te。


3.如权利要求1所述的化合物,其中Ar1包括取代或未取代的呋喃、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的硒吩、和取代或未取代的碲吩的至少一种。


4.如权利要求1所述的化合物,其中Ar1包括由取代或未取代的在组1中列出的基团表示的结构:
[组1]



其中,在组1中,
Y1和Y2独立地为O、S、Se、和Te之一,以及
*为与化学式1A或1B的连接点。


5.如权利要求4所述的化合物,其中化学式1A或1B的X1和X2的至少一个分别与组1中列出的Y1和Y2不同。


6.如权利要求5所述的化合物,其中
X1和X2之一为Se或Te,且
Y1和Y2独立地为O或S。


7.如权利要求1所述的化合物,其中
R1和R2之一为氢,且
R1和R2的另一个为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合。


8.如权利要求1所述的化合物,其中
R1和R2之一为取代或未取代的C1-C30直链烷基、取代或未取代的C2-C30直链烯基、取代或未取代的C2-C30直链炔基、取代或未取代的C1-C30直链烷氧基、或其组合,且
R1和R2的另一个为取代或未取代的C...

【专利技术属性】
技术研发人员:李恩庆李敦旭朴正一
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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