【技术实现步骤摘要】
一种ESD电源保护钳位电路
本专利技术涉及ESD电路
,具体而言,为一种ESD电源保护钳位电路。
技术介绍
集成电路(芯片)都需要静电保护(ESD)电路设计;目前传统技术中,集成电路的电源的ESD保护,通常由NMOS或者PMOS构成,NMOS的gate(栅极)通常直接接地或者通过保护电阻接地,如图1中1a所示的(GGNMOS);PMOS的gate(栅极)通常直接接电源或者通过保护电阻接电源,如图1中1b所示的(GRNMOS);这种连接方式通常开启电压较高,开启速度比较慢,保护能力差,容易造成内部电路失效;因此在这种电路结构里引入耦合电容,如图2所示的(2a所示的GCNMOS,2b所示的GDNMOS),电容和电阻形成RC延迟电路,在RC时间内电路栅极保持开启放电,RC时间后,电路栅极保持关闭,以解决图1中电路结构的开启电压较高,开启速度比较慢,保护能力差的问题,但需要额外增加耦合电容,通常面积比较大,一方面需要额外的版图面积,增加芯片成本,第二方面具有频率效应的RC电路的存在,在电源固有噪声影响下,芯片正常工作时,造成芯 ...
【技术保护点】
1.一种ESD电源保护钳位电路,其特征在于,包括被保护电源域和设置在被保护电源域的电源端和地端的ESD保护电路,还包括第一电源域;通过第一电源域的电源端和地端的电位提供被保护电源域ESD保护电路的开启或者关闭的驱动信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种ESD电源保护钳位电路,其特征在于,包括被保护电源域和设置在被保护电源域的电源端和地端的ESD保护电路,还包括第一电源域;通过第一电源域的电源端和地端的电位提供被保护电源域ESD保护电路的开启或者关闭的驱动信号。
2.根据权利要求1所述的ESD电源保护钳位电路,其特征在于,所述ESD保护电路包括PMOS管,PMOS管的漏极和源极分别连接被保护电源域的电源端和地端;所述PMOS管的栅极连接所述第一电源域的电源端,所述第一电源域的地端悬空。
3.根据权利要求1所述的ESD电源保护钳位电路,其特征在于,所述ESD保护电路包括NMOS管,NMOS管的漏极和源极分别接被保护电源域的电源端和地端;所述NMOS管的栅极连接所述第一电源域的地端,所述第一电源域的电源端悬空。
4.根据权利要求2所述的ESD电源保护钳位电路,其特征在于,还包括串联在所述PMOS管的栅极与所述第一电源域之间的一级或多级反相器。
5.根据权利要求4所述的ESD电源保护钳位电路,其特征在于,串联入偶数级反相器时,第一级反相器的输入端连接所述第一电源域的电源端,最后一级反相器的输出端连接PMOS管的栅极,中间级反相器串联;反相器的正负电源端分别连接所述被保护电源域的电源端和地端;串联入奇数级反相器时,第一级反相器的输入端...
【专利技术属性】
技术研发人员:马树永,
申请(专利权)人:伟芯科技绍兴有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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