【技术实现步骤摘要】
一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术属于光伏电池领域，特别是涉及一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
电力是人类发展的核心资源，是高品质生活不可或缺的组成元素，获得电力的途径和方法有很多，如煤炭、天然气、生物质、核能等。过去五十年的电力主要以消耗化石燃料为代价，这需要大量消耗水的水资源，还会造成污染。近年，人类越来越关注气候和环境的变化，电力也需要进行相应变迁转向可再生能源。太阳能是从太阳辐射获得的能源，是一种可再生资源，是地球上绝大多数地方都能够直接获得的绿色能源，而太阳电池就是利用光生伏特效应将太阳资源直接转换成电能的有效器件。随着技术的不断发展，太阳电池将光能转换成电能的效率(即太阳电池的转换效率)在不断提高，相应的电池结构也在不断改进，2018年前，主要应用的电池结构是铝背场(Al-BSF：AluminumBackSurfaceField)结构太阳电池，2018年下半年开始背钝化(PERC：PassivatedEmitter&RearCell)结构太阳电池技术呈“断崖”式发展，...
【技术保护点】
1.一种MIS-硅异质结太阳电池，包括载流子传输层、载流子遂穿层和半导体吸收层，所述载流子传输层由前表面载流子传输层和背表面载流子传输层构成，所述载流子遂穿层由前表面钝化层和背表面钝化层构成，所述半导体吸收层为半导体硅片材料，结构从上到下依次为前表面载流子传输层→前表面钝化层→半导体吸收层→背表面钝化层→背表面载流子传输层，上是指迎光面，下是指背光面。/n
【技术特征摘要】
1.一种MIS-硅异质结太阳电池，包括载流子传输层、载流子遂穿层和半导体吸收层，所述载流子传输层由前表面载流子传输层和背表面载流子传输层构成，所述载流子遂穿层由前表面钝化层和背表面钝化层构成，所述半导体吸收层为半导体硅片材料，结构从上到下依次为前表面载流子传输层→前表面钝化层→半导体吸收层→背表面钝化层→背表面载流子传输层，上是指迎光面，下是指背光面。
2.根据权利要求1所述MIS-硅异质结太阳电池，其特征在于，前表面载流子传输层由前表面栅线电极、前表面透明导电膜、前表面载流子传输膜共同构成；其中前表面栅线电极在前表面透明导电膜的上面，前表面透明导电膜则在前表面载流子传输膜的上面；背表面载流子传输层由背表面电极、背表面透明导电膜、背表面载流子传输膜共同构成，所述背表面电极为栅线结构，或为布满整个背面的膜层结构；所述背表面载流子传输膜在背表面透明导电膜的上面，而背表面透明导电膜在背表面电极在的上面。
3.根据权利要求2所述MIS-硅异质结太阳电池，其特征在于，所述前表面栅线电极和背表面电极材料为银、金、铝、钛、钯和铜中的一种或两种以上任意比例的混合物；所述前表面透明导电膜和背表面透明导电膜的材料为铟锡氧化物、氧化锌或掺铝氧化锌；所述前表面载流子传输膜和背表面载流子传输膜的材料为功函数与硅相差较大的氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化钛、氧化铌、氧化铁、氧化铜、氧化锆、氧化铌、氧化锌、氧化银、氧化镍和氧化钌中的一种或者两种以上任意比例的混合物。
4.根据权利要求1所述MIS-硅异质结太阳电池，其特征在于，前表面钝化层由前表面遂穿层构成，或者由前表面遂穿层和硅片前表面轻掺杂层共同构成，其中前表面遂穿层位于硅片前表面轻掺杂层的上面；背表面钝化层由背表面遂穿层构成，或者由背表面遂穿层和硅片背表...
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