【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,具体地,涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
砷化镓(GaAs)禁带宽度1.43ev,是吸收太阳光最优选材料之一,由砷化镓制备的太阳能电池,具有转化效率高、温度特性好,抗辐射能力强等特点,GaAs太阳能电池应用越来越广泛。为了提高GaAs太阳能电池的光电转化效率,常用做法是在GaAs太阳能电池中制作反射层,反射层对光线的反射和散射并不是很充分,从而导致电池的光电转换效率并不是很高。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池中,多孔结构的反射层能使透过电池层中的光线吸收层照射到反射层上的太阳光光子发生充分反射和散射,发生反射和散射后的光子能被再次反射回到光线吸收层中并被光线吸收层再次吸收,从而提高了太阳能电池的光电转换效率。本专利技术提供一种太阳能电池,包括衬底和设置在所述衬底上的反射层和电池层,沿远离所述衬底的方向,所述反射层和所述电池层依次设置,所述反射层包括 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括衬底和设置在所述衬底上的反射层和电池层,沿远离所述衬底的方向,所述反射层和所述电池层依次设置,所述反射层包括至少一个叠层单元,沿远离所述衬底的方向,各所述叠层单元依次叠置,所述叠层单元包括相互叠置的砷化镓层和砷化铝层,所述砷化镓层和所述砷化铝层均为多孔结构层。/n
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括衬底和设置在所述衬底上的反射层和电池层,沿远离所述衬底的方向,所述反射层和所述电池层依次设置,所述反射层包括至少一个叠层单元,沿远离所述衬底的方向,各所述叠层单元依次叠置,所述叠层单元包括相互叠置的砷化镓层和砷化铝层,所述砷化镓层和所述砷化铝层均为多孔结构层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层和所述砷化铝层中孔的直径范围为1~20nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述叠层单元的数量为5~50个。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层的厚度满足d1=λ/4n1,所述砷化铝层的厚度满足d2=λ/4n2;其中,d1为所述砷化镓层的厚度,n1为所述砷化镓层的折射率,d2为所述砷化铝层的厚度,n2为所述砷化铝层的折射率,λ为入射光波长。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层的厚度范围为4~30nm;所述砷化铝层的厚度范围为4~30nm。
6.一种如权利要求1-5任意一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:采用金属有机化合物化学气相沉积法或者分子束外延法在衬底上先...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗轶,李琳琳,宋士佳,
申请(专利权)人:东泰高科装备科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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