反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置制造方法及图纸

技术编号:24332661 阅读:129 留言:0更新日期:2020-05-29 20:28
本发明专利技术实施例提供了一种反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置,涉及显示技术领域,简化了制作工艺,且减小了设计尺寸。反相器包括:输入信号端和输出信号端;控制模块,分别与输入信号端、高电位信号端、低电位信号端和第一节点连接;输出模块,包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管为P型晶体管;第一晶体管的栅极与输入信号端连接,第一晶体管的第一极与高电位信号端连接,第一晶体管的第二极与输出信号端连接;第二晶体管的栅极与第一节点连接,第二晶体管的第一极与低电位信号端连接,第二晶体管的第二极与输出信号端连接;控制模块用于:输入信号端提供低电平时输出高电平,输入信号端提供高电平时输出低电平。

Inverter and its driving method, gate driving circuit, display device

【技术实现步骤摘要】
反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置。
技术介绍
为驱动显示装置正常发光,显示装置的边框区内设有用于向栅线提供扫描信号的栅极驱动电路,栅极驱动电路内设有反相器。由于显示装置的边框区还需要设置其他电路结构,设置空间、制作成本以及工艺制程均有限,因此,如何优化反相器的电路结构成为了目前丞待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置,既能够简化反相器的制作工艺,还能够减小反相器的设计尺寸。一方面,本专利技术实施例提供了一种反相器,包括:输入信号端和输出信号端;控制模块,所述控制模块分别与所述输入信号端、高电位信号端、低电位信号端和第一节点电连接;输出模块,所述输出模块包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管均为P型晶体管;其中,所述第一晶体管的栅极与所述输入信号端电连接,所述第一晶体管的第一极与所述高电位信号端电连接,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反相器,其特征在于,包括:/n输入信号端和输出信号端;/n控制模块,所述控制模块分别与所述输入信号端、高电位信号端、低电位信号端和第一节点电连接;/n输出模块,所述输出模块包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管均为P型晶体管;其中,所述第一晶体管的栅极与所述输入信号端电连接,所述第一晶体管的第一极与所述高电位信号端电连接,所述第一晶体管的第二极与所述输出信号端电连接;所述第二晶体管的栅极与所述第一节点电连接,所述第二晶体管的第一极与所述低电位信号端电连接,所述第二晶体管的第二极与所述输出信号端电连接;/n所述控制模块用于:在所述输入信号端提供低电平时,向所述第一节点输出...

【技术特征摘要】
1.一种反相器,其特征在于,包括:
输入信号端和输出信号端;
控制模块,所述控制模块分别与所述输入信号端、高电位信号端、低电位信号端和第一节点电连接;
输出模块,所述输出模块包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管均为P型晶体管;其中,所述第一晶体管的栅极与所述输入信号端电连接,所述第一晶体管的第一极与所述高电位信号端电连接,所述第一晶体管的第二极与所述输出信号端电连接;所述第二晶体管的栅极与所述第一节点电连接,所述第二晶体管的第一极与所述低电位信号端电连接,所述第二晶体管的第二极与所述输出信号端电连接;
所述控制模块用于:在所述输入信号端提供低电平时,向所述第一节点输出高电平,在所述输入信号端提供高电平时,向所述第一节点输出低电平。


2.根据权利要求1所述的反相器,其特征在于,所述控制模块包括:
第三晶体管,所述第三晶体管为P型晶体管,所述第三晶体管的栅极与所述输入信号端电连接,所述第三晶体管的第一极与所述高电位信号端电连接,所述第三晶体管的第二极与所述第一节点电连接;
第四晶体管,所述第四晶体管为N型晶体管,所述第四晶体管的栅极与所述输入信号端电连接,所述第四晶体管的第一极与所述低电位信号端电连接,所述第四晶体管的第二极与所述第一节点电连接。


3.根据权利要求2所述的反相器,其特征在于,所述第四晶体管为氧化物晶体管。


4.根据权利要求2所述的反相器,其特征在于,所述控制模块还包括:
电容,所述电容的第一极板与所述第一节点电连接,所述电容的第二极板与所述输出信号端电连接。


5.根据权利要求4所述的反相器,其特征在于,所述控制模块还包括:
第五晶体管,所述第三晶体管的第二极、所述第四晶体管的第二极分别通过所述第五晶体管与所述第一节点电连接,所述第五晶体管的栅极与控制信号端电连接,所述控制信号端用于提供驱动所述第五晶体管导通的导通电平。


6.根据权利要求5所述的反相器,其特征在于,所述第五晶体管为P型晶体管,所述控制信号端复用为所述低电位信号端。

...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖青俊朱绎桦
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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