一种发光二极管芯片及其制备方法技术

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片及其制备方法，发光二极管芯片包括：衬底层，该衬底层的表面依次设置有N型半导体层、发光层、P型半导体层及电极，所述衬底层上开设有多个贯穿所述衬底层的预设图形，以通过所述预设图形在所述衬底层形成的通道反射出预设波长的光。本申请在衬底(sapphire)层上开多个预设图形，因所开的预设图形贯通所述sapphire层，从而降低了sapphire层的覆盖率，提高了发光二极管芯片的散热效率。同时，本申请利用光波导原理可以根据需要将具有一定波长的光导出，提高了演色性。使得人眼可以感受的光不容易有色偏的感受。

A LED chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种发光二极管芯片及其制备方法
本申请涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting-Diode，LED)是一种能将电转化为光的半导体电子元件。以目前白光LED而言，通常采用的是将蓝光+YAG荧光粉(YAG是钇铝石榴石的简称，化学式为Y3Al5O12，是由Y2O3和Al2O3反应生成的一种复合氧化物，属立方晶系，具有石榴石结构)，以2.5nm为一单位，搭配针对此波长的荧光粉。举例来说455nm的混合白光与450nm的荧光粉比例不同，才能将白光控制在CIE(CommissionInternationaledeL'Eclairage，国际照明委员会)X＝0.33Y＝0.33的色坐标位置，此时所发出的白光半宽才相对较窄。u-LED为利用三原色RGB激发成的白光，其有别于蓝光+YAG荧光粉模式所激发的白光，采用现有的发光二极管芯片结构由于衬底层(sapphire层)的覆盖率高，影响了芯片的散热，同时所发出的蓝光半宽(Fullwidthathalfmaximum，FWHM)较宽，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，包括：衬底层，所述衬底层的表面依次设置有N型半导体层、发光层、P型半导体层及电极，其特征在于，所述衬底层上开设有多个贯穿所述衬底层的预设图形，以通过所述预设图形在所述衬底层形成的通道反射出预设波长的光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管芯片，包括：衬底层，所述衬底层的表面依次设置有N型半导体层、发光层、P型半导体层及电极，其特征在于，所述衬底层上开设有多个贯穿所述衬底层的预设图形，以通过所述预设图形在所述衬底层形成的通道反射出预设波长的光。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述预设图形的内表面设置有反射层。


3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层的材质为金属，所述金属为铝、铜和金中的任一种。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述预设图形的宽度为所述发光层所产生光的波长的整数倍，且所述预设图形的宽度小于所述发光二极管芯片的直径。


5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述预设图形为圆形和/或多边形。


6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄嘉宏，杨顺贵，林雅雯，黄国栋，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50