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本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种发光二极管芯片及其制备方法,发光二极管芯片包括:衬底层,该衬底层的表面依次设置有N型半导体层、发光层、P型半导体层及电极,所述衬底层上开设有多个贯穿所述衬底层的预设图形,以通过所述预设图形在所述衬底层形...该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。
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本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种发光二极管芯片及其制备方法,发光二极管芯片包括:衬底层,该衬底层的表面依次设置有N型半导体层、发光层、P型半导体层及电极,所述衬底层上开设有多个贯穿所述衬底层的预设图形,以通过所述预设图形在所述衬底层形...