半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶片的评价方法，该半导体晶片的评价方法包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。

Evaluation method of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法
本专利技术涉及半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法。
技术介绍
近年来，对半导体晶片评价包括晶片外周边缘部的晶片的剖面形状(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2017-503164号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在专利文献1中提出了一种方案，从晶片的剖面像求出表面轮廓的坐标列，通过在数学坐标系中将其表现为曲线，以数学方式对曲线进行处理，将与晶片的形状相关的形状分析数据表示为数值化(参照专利文献1的第0032段等)。一般来说，对从锭切出的晶片实施各种加工来制造半导体晶片。由于从锭切出的晶片的外周边缘部在保持原状的情况下具有角部，所以容易产生裂纹或缺口。因此，通常对晶片的外周边缘部实施倒角加工来形成倒角面。通过获取形成有倒角面的半导体晶片的剖面像，能够在该剖面像中观察半导体晶片的成为器件形成面的表面(正面)或与正面相反侧的表面(背面)与倒角面的边界部的形状。以下，只要没有特别说明，半导体晶片的“表面”是指上述正面或背面中的任意一方或两方。晶片表面与倒角面的边界部的形状能够作为用于预测半导体器件的制造工序中的缺口、伤痕的产生容易度等的指标。例如，在半导体器件的制造工序中，热处理时与支承晶片的晶片支承件的形状配合而适当地设定晶片表面(例如背面)与倒角面的边界部的形状，由此不容易产生因接触引起的边界部的缺口或伤痕，能够降低因缺口或伤痕引起的位错(滑移)或灰尘产生的发生率。但是，专利文献1记载的方法用于使晶片的形状数值化的工序复杂，因此希望能够通过更简便的评价方法来评价晶片表面与倒角面的边界部的形状。用于解决技术问题的手段在此，本专利技术的目的在于提供一种新的方法，用于简单地评价半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状。本专利技术的一种方式涉及一种半导体晶片的评价方法(以下也记载为“评价方法”)，其包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。在一种方式中，上述剖面像可以是在剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面中拍摄的剖面像。在一种方式中，上述放大像可以是仅在晶片厚度方向上以4倍以上的放大倍率放大上述获取的剖面像而制作的放大像。在一种方式中，上述放大倍率可以是4倍以上、15倍以下。在一种方式中，用于上述评价的放大像可以是在上述放大后进行了二值化处理的像。在一种方式中，上述评价可以在上述放大像中将在上述边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸作为指标来进行。在一种方式中，可以通过对比上述制作的放大像和比较对象放大像，进行评价对象的半导体晶片的上述边界部的评价。该比较对象放大像可以是以如下方式制作的放大像：获取包括比较对象的半导体晶片的晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部的剖面像，仅在晶片厚度方向上以与上述评价对象的半导体晶片的放大像相同的放大倍率放大该获取的剖面像。本专利技术的另一种方式涉及一种半导体晶片的制造方法(以下也记载为“第一制造方法”)，其包括：制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；从上述半导体晶片批次中提取至少一个半导体晶片；通过上述评价方法评价上述提取的半导体晶片；以及将与上述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。本专利技术的另一种方式涉及一种半导体晶片的制造方法(以下也记载为“第二制造方法”)，其包括：在测试制造条件下制造评价用半导体晶片；通过上述评价方法评价上述制造的评价用半导体晶片；基于上述评价的结果，将对上述测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件，或者将上述测试制造条件确定为实际制造条件；以及在上述确定的实际制造条件下制造半导体晶片。在一种方式中，实施上述变更的制造条件可以是半导体晶片表面的研磨处理条件和倒角加工条件中的至少一方。专利技术的效果按照本专利技术的一种方式，能够提供一种评价方法，该评价方法能够简便地评价半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的形状。附图说明图1是包括两个半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的剖面像(无二值化处理)。图2是对图1所示的剖面像进行了二值化处理的已二值化处理像。图3是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了2倍的放大像(已二值化处理)。图4是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了3倍的放大像(已二值化处理)。图5是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了4倍的放大像(已二值化处理)。图6是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了5倍的放大像(已二值化处理)。图7是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了10倍的放大像(已二值化处理)。图8是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了15倍的放大像(已二值化处理)。图9是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了20倍的放大像(已二值化处理)。图10是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了30倍的放大像(已二值化处理)。图11是表示记载于图2～图10的最右侧的比值与晶片厚度方向上的放大倍率的关系的曲线图。具体实施方式[半导体晶片的评价方法]本专利技术的一种方式涉及一种半导体晶片的评价方法，其包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。在上述评价方法中，使用放大像评价边界部的形状，该放大像仅在晶片厚度方向上放大了包括半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的剖面像。通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像，由于能够在剖面形状的轮廓中对晶片表面(所谓水平面)强调半导体晶片的边界部的形状差异，所以能够高精度地评价边界部的平缓度/陡峭度。因此，例如即使在通过以纵横等倍的摄影倍率获取的剖面像对多个半导体晶片的剖面形状进行比较时几乎看不到边界部的差异的情况下，也能够强调多个半导体晶片的边界部的形状差异，因此能够判别微小的边界部的形状差异。此外，按照上述评价方法，不经过复杂的工序而通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像这种简便的图像处理，就能够评价半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的形状。以下，进一步对上述评价方法进行详细说明。<评价对象的半导体晶片>上述评价方法的评价对象的半导体晶片只要是在晶片的外周边缘部实施倒角加工而形成有倒角面的半导体晶片即可。评价对象的半导体晶片一般可以是用作半导体基板的各种半导体晶片。例如，作为半导体晶片的具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，该半导体晶片的评价方法包括：/n获取评价对象的半导体晶片的剖面像，/n所述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；/n制作仅在晶片厚度方向上放大了所述获取的剖面像的放大像；以及/n在所述制作的放大像中评价所述边界部的形状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171011 JP 2017-1974211.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，该半导体晶片的评价方法包括：
获取评价对象的半导体晶片的剖面像，
所述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；
制作仅在晶片厚度方向上放大了所述获取的剖面像的放大像；以及
在所述制作的放大像中评价所述边界部的形状。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述剖面像是在剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面中拍摄的剖面像。


3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大像是仅在晶片厚度方向上以4倍以上的放大倍率放大所述获取的剖面像而制作的放大像。


4.根据权利要求3所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大倍率是4倍以上、15倍以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，用于所述评价的放大像是在所述放大后进行了二值化处理的像。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，在所述放大像中将在所述边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸作为指标来进行所述评价。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村雅史，田中宏知，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP