半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶片的评价方法，该半导体晶片的评价方法包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。

Evaluation method of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法
本专利技术涉及半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法。
技术介绍
近年来，对半导体晶片评价包括晶片外周边缘部的晶片的剖面形状(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2017-503164号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在专利文献1中提出了一种方案，从晶片的剖面像求出表面轮廓的坐标列，通过在数学坐标系中将其表现为曲线，以数学方式对曲线进行处理，将与晶片的形状相关的形状分析数据表示为数值化(参照专利文献1的第0032段等)。一般来说，对从锭切出的晶片实施各种加工来制造半导体晶片。由于从锭切出的晶片的外周边缘部在保持原状的情况下具有角部，所以容易产生裂纹或缺口。因此，通常对晶片的外周边缘部实施倒角加工来形成倒角面。通过获取形成有倒角面的半导体晶片的剖面像，能够在该剖面像中观察半导体晶片的成为器件形成面的表面(正面)或与正面相反侧的表面(背面)与倒角面的边界部的形状。以下，只要没有特别说明，半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，该半导体晶片的评价方法包括：/n获取评价对象的半导体晶片的剖面像，/n所述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；/n制作仅在晶片厚度方向上放大了所述获取的剖面像的放大像；以及/n在所述制作的放大像中评价所述边界部的形状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171011 JP 2017-1974211.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，该半导体晶片的评价方法包括：
获取评价对象的半导体晶片的剖面像，
所述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；
制作仅在晶片厚度方向上放大了所述获取的剖面像的放大像；以及
在所述制作的放大像中评价所述边界部的形状。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述剖面像是在剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面中拍摄的剖面像。


3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大像是仅在晶片厚度方向上以4倍以上的放大倍率放大所述获取的剖面像而制作的放大像。


4.根据权利要求3所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大倍率是4倍以上、15倍以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，用于所述评价的放大像是在所述放大后进行了二值化处理的像。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，在所述放大像中将在所述边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸作为指标来进行所述评价。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村雅史，田中宏知，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP