硅片及其制造方法技术

课题是提供硅片，其可极力降低表层部的氧析出，同时使不受客户的热处理左右的热稳定的氧析出核在主体部高密度地产生。解决方案为硅片50通过在780℃下3小时的热处理后进行在950～1000℃下16小时的可视化热处理的第一评价热处理而在从表面50a至深度30μm为止的表层部53产生的氧析出物(BMD)密度为1×10<supgt;7</supgt;～1×10<supgt;8</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;，通过第一评价热处理而在比表层部53深的主体部54产生的BMD密度为1×10<supgt;9</supgt;～7×10<supgt;9</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;。在将通过第一评价热处理在主体部54产生的BMD平均密度设为第一主体密度d<subgt;1</subgt;、将通过在1150℃下2分钟的热处理后进行可视化热处理的第二评价热处理而在主体部54产生的BMD平均密度设为第二主体密度d<subgt;2</subgt;时，d<subgt;2</subgt;/d<subgt;1</subgt;为0.74～1.02。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及硅片及其制造方法，特别是涉及将通过提拉法(cz法)制造的单晶硅锭切片而制作的硅片的热处理方法。另外，本专利技术涉及通过那样的热处理方法进行了热处理的硅片。

技术介绍

1、作为半导体装置的基板材料的硅片多数使用通过cz法制造的单晶硅锭来制造。cz法是通过一边使与石英坩埚内的硅熔液接触的晶种相对旋转一边缓慢提拉，而使比晶种大的单晶生长的方法。根据cz法，可以提高大口径单晶硅的制造成品率。

2、已知通过cz法使单晶硅生长时，从石英坩埚的表面溶出的氧会纳入硅熔液中。硅熔液中的氧在单晶硅冷却的过程中成为过饱和状态，氧凝聚而形成氧析出核。

3、刚从单晶硅锭切出后的块状硅片的氧析出物密度非常低，低密度的氧析出物对半导体装置的特性造成的影响小。然而，在制造半导体装置的过程中反复施以各种热处理，由此有时氧析出物高密度化。在作为装置活性区域的硅片的表层部存在的氧析出物成为接合裂隙等的装置特性恶化的原因。另一方面，在装置活性区域以外的主体部存在的氧析出物作为捕获使装置特性变差的金属杂质的吸杂位点(gettering site)有效地发挥功能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值和通过所述第二评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值均为2以下。

3.根据权利要求1所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值为1.30以下，通过所述第二评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值为1.32以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述表层部产生的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种硅片，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值和通过所述第二评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值均为2以下。

3.根据权利要求1所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值为1.30以下，通过所述第二评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值为1.32以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述表层部产生的氧析出物的平均密度和通过所述第二评价热处理在所述表层部产生的氧析出物的平均密度均为2.1×107cm-3以下。

5.一种硅片，其特征在于，具备：

6.根据权利要求5所述的硅片，其中通过所述第一评价热处理在所述主体部产生的氧析出物的密度的最大值相对于最小值的比值和通过所述第二评价热处理在所述主体部产生的氧析出物...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口隼矢，鸟越和尚，小野敏昭，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：