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课题是提供硅片，其可极力降低表层部的氧析出，同时使不受客户的热处理左右的热稳定的氧析出核在主体部高密度地产生。解决方案为硅片50通过在780℃下3小时的热处理后进行在950～1000℃下16小时的可视化热处理的第一评价热处理而在从表面50a...
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