放大装置制造方法及图纸

放大装置包含放大电路及保护电路。放大电路具有接收射频信号的输入端，及输出放大后的射频信号的输出端。放大电路包含晶体管。晶体管具有第一端、第二端及控制端。晶体管的第一端输出放大后的射频信号，而晶体管的控制端耦接于放大电路的输入端。保护电路的第一端耦接于放大电路的输入端或输出端。保护电路包含开关单元及钳位单元。开关单元受第一控制信号控制而被导通或被截止。钳位单元耦接于开关单元。当开关单元导通时，钳位单元将保护电路的第一端的电压钳制在预定范围内。

Amplification device

【技术实现步骤摘要】
放大装置
本专利技术是有关于一种放大装置，特别是一种在旁通模式下能够维持线性表现的放大装置。
技术介绍
在行动电子装置的通讯模块中，射频信号的发送和接收常会透过相同的天线来进行操作。举例来说，通讯模块中的发送端及接收端可以共同耦接至天线。当通讯模块欲透过天线接收射频信号时，通讯模块会启动接收端中的低噪声放大器将射频信号放大以分析取得其中的信息；而通讯模块欲透过天线发送射频信号时，通讯模块则会启动发送端中的功率放大器将射频信号放大以透过天线对外输出。一般来说，接收端的低噪声放大器承受高功率信号的能力较弱。因此，在通讯模块透过天线接收射频信号时，倘若系统内部误启动了发送端或是耦合了发送端的能量，则发送端所产生的强度较强的射频信号也将输入至低噪声放大器，使得低噪声放大器无法正常运作，甚至对低噪声放大器造成破坏。在现有技术中，为了保护低噪声放大器，常会在低噪声放大器的输入端加设钳位电路，以避免发送端的射频信号摆幅过大，并进入低噪声放大器而造成破坏。然而，如此一来，也改变了接收端内部的匹配阻抗，使得接收端在信号放大的线性度表现上不如预期。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种放大装置，放大装置包含放大电路及保护电路。放大电路放大射频信号，且放大电路具有输入端及输出端。放大电路的输入端接收射频信号，而放大电路的输出端输出放大后的射频信号。放大电路包含晶体管，晶体管具有第一端、第二端及控制端。晶体管的第一端输出放大后的射频信号，而晶体管的控制端耦接于放大电路的输入端。保护电路具有第一端及第二端，保护电路的第一端耦接于放大电路的输入端或放大电路的输出端。保护电路包含开关单元及钳位单元。开关单元受控制信号控制而被导通或被截止。钳位单元耦接于开关单元，并当开关单元导通时，将保护电路的第一端的电压钳制在预定范围内。附图说明图1为本专利技术一实施例的放大装置的示意图。图2为本专利技术实施例二的放大装置的示意图。图3为本专利技术实施例三的放大装置的示意图。图4为本专利技术实施例四的放大装置的示意图。【符号说明】100、200、300、400放大装置110、310、410放大电路120、220、320、420保护电路130旁通电路140电阻电容滤波器112、114、426被动元件M1至M4、122A、132晶体管C1、C2、C3、C4、C5电容122、222、322、422开关单元124、224、126、324、424钳位单元D1、D2二极管SIGRF1、SIGRF2射频信号SIGctrl1、SIGctrl2、SIGctrl3、SIGctrl4控制信号具体实施方式图1为本专利技术一实施例的放大装置100的示意图。放大装置100包含放大电路110及保护电路120。放大电路110可以将所接收到的射频信号SIGRF1放大，而保护电路120则可以保护放大电路110，以减少受到高强度射频信号的破坏。放大电路110具有输入端IN及输出端OUT，放大电路110的输入端IN可接收射频信号SIGRF1，而放大电路110的输出端OUT则可输出放大后的射频信号SIGRF2。在图1中，放大电路110可包含晶体管M1，晶体管M1具有第一端、第二端及控制端。晶体管M1的第一端可输出放大后的射频信号SIGRF2，而晶体管M1的控制端可耦接于放大电路110的输入端IN。保护电路120具有第一端及第二端，保护电路120的第一端可耦接于放大电路110的输入端IN，而保护电路120的第二端可以接收第一参考电压V1。保护电路120可包含开关单元122及钳位单元124。开关单元122受控制信号SIGctrl1控制而被导通或被截止。钳位单元124耦接于开关单元122。在本专利技术的有些实施例中，当开关单元122导通时，钳位单元124可将保护电路120的第一端的电压钳制在预定范围内。也就是说，当放大电路110的输入端接收到强度较大，亦即电压摆幅较大的射频信号时，开关单元122可被导通，而钳位单元124会将输入信号的电压钳制在放大电路110所能承受的预定范围之内，以减少或避免放大电路110受到破坏。此外，在图1中，放大装置100还可包含旁通电路130。旁通电路130可耦接于放大电路110的输入端IN及输出端OUT。当放大装置100执行旁通模式时，旁通电路130可以在放大电路110的输入端IN及输出端OUT之间提供旁通路径。举例来说，倘若放大装置100所接收到的射频信号SIGRF1的强度不够大，须要透过放大电路110进行放大，此时放大装置100便可执行放大模式，以接收射频信号SIGRF1并输出放大后的射频信号SIGRF2，并将旁通电路130截止，以阻止射频信号SIGRF1自输入端IN透过旁通电路130传送至输出端OUT；倘若放大装置100所接收到的射频信号SIGRF1的强度够大，而无须再透过放大电路110进行放大，此时放大装置100便可执行旁通模式，并将旁通电路130导通，以透过旁通电路130将射频信号SIGRF1直接自输入端IN传送至输出端OUT，减少放大电路110的电能损耗。在图1中，旁通电路130可包含复数个晶体管132，且复数个晶体管132可串接在放大电路110的输入端IN及输出端OUT之间。如此一来，就可以避免在执行放大模式时，单个晶体管因为输入信号摆幅较大而被误导通，进而导致旁通模式被误开启的情况。此外，在执行旁通模式时，在阻抗不匹配的情况下，倘若射频信号SIGRF1输入至保护电路120，便可能会造成放大装置100的增益线性范围缩减。为减少此问题发生，放大装置100可以在执行旁通模式时将开关单元122截止，而在需要透过放大电路110放大射频信号SIGRF1，也就是放大装置100执行放大模式时，才将开关单元122导通。如此一来，就能够在旁通模式下，维持放大装置100的线性表现，此外也可以在利用放大电路110放大射频信号SIGRF1时，透过保护电路120来保护放大电路110。在图1中，钳位单元124具有第一端及第二端，钳位单元124的第一端可耦接于保护电路120的第一端。开关单元122具有第一端、第二端及控制端，且开关单元122的第一端可耦接于钳位单元124的第二端，开关单元122的第二端可耦接于保护电路120的第二端，并可接收第一参考电压V1，例如是共同电压或接地电压，而开关单元122的控制端可接受控制信号SIGctrl1。此外，在图1中，开关单元122可包含复数个串联的晶体管122A，以减少开关单元122被误导通的情况。然而在本专利技术的有些实施例中，开关单元122也可仅包含单一个晶体管122A。再者，由于开关单元122中的晶体管122A无须操作在大电流的应用中，因此每一晶体管122A的尺寸可小于晶体管M1的尺寸，以减少开关单元122所需的面积。在图1中，开关单元122中的每一晶体管122A可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Sem本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放大装置，其特征在于，包含：/n一放大电路，用以放大一射频信号，具有一输入端用以接收该射频信号，及一输出端用以输出放大后的该射频信号，该放大电路包含一第一晶体管，具有一第一端用以输出放大后的该射频信号，一第二端，及一控制端耦接于该放大电路的该输入端；及/n一保护电路，具有一第一端耦接于该放大电路的该输入端或该放大电路的该输出端，及一第二端，该保护电路包含：/n一开关单元，用以受一第一控制信号控制而被导通或被截止；及/n一第一钳位单元，耦接于该开关单元，用以当该开关单元导通时，将该保护电路的该第一端的电压钳制在一预定范围内。/n

【技术特征摘要】
20181120 TW 1071412341.一种放大装置，其特征在于，包含：
一放大电路，用以放大一射频信号，具有一输入端用以接收该射频信号，及一输出端用以输出放大后的该射频信号，该放大电路包含一第一晶体管，具有一第一端用以输出放大后的该射频信号，一第二端，及一控制端耦接于该放大电路的该输入端；及
一保护电路，具有一第一端耦接于该放大电路的该输入端或该放大电路的该输出端，及一第二端，该保护电路包含：
一开关单元，用以受一第一控制信号控制而被导通或被截止；及
一第一钳位单元，耦接于该开关单元，用以当该开关单元导通时，将该保护电路的该第一端的电压钳制在一预定范围内。


2.如权利要求1所述的放大装置，其特征在于，还包含一旁通电路，耦接于该放大电路的该输入端及该输出端，用以在该放大装置执行一旁通模式时，在该放大电路的该输入端及该输出端之间提供一旁通路径。


3.如权利要求2所述的放大装置，其特征在于，其中该保护电路的该第一端是耦接于该放大电路的该输入端。


4.如权利要求3所述的放大装置，其特征在于，其中当该放大装置透过该放大电路放大该射频信号时，该开关单元被导通。


5.如权利要求3所述的放大装置，其特征在于，其中当该放大装置执行该旁通模式时，该开关单元被截止。


6.如权利要求3所述的放大装置，其特征在于，其中：
该开关单元具有一第一端耦接于该保护电路的该第一端，一第二端，及一控制端用以接受该第一控制信号；及
该第一钳位单元具有一第一端耦接于该开关单元的该第二端，一第二端耦接于该保护电路的该第二端。


7.如权利要求3所述的放大装置，其特征在于，其中：
该第一钳位单元具有一第一端耦接于该保护电路的该第一端，及一第二端；
及
该开关单元具有一第一端耦接于该第一钳位单元的该第二端，一第二端，及一控制端用以接受该第一控制信号。


8.如权利要求7所述的放大装置，其特征在于，其中：
该第一钳位单元的该第二端另耦接至该第一晶体管的该第二端。


9.如权利要求8所述的放大装置，其特征在于，其中该保护电路还包含一被动元件，具有一第一端耦接于该开关单元的该第二端，及一第二端耦接于该保护电路的该第二端，并用以接收一第一参考电压。


10.如权利要求8所述的放大装置，其特征在于，其中：
该开关单元包含至少一晶体管，且该开关单元的该至少一晶体管的尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昭毅，陈智圣，许瀞文，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71