【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器保护及控制电路
本专利技术涉及功放
，特别是指一种功率放大器保护及控制电路。
技术介绍
通过脉冲来调制的功率放大器已经大量应用于雷达及其它很多通信系统中。随着GaN工艺的不断成熟，越来越多的高功率芯片产生，随之而来的对于GaN功放的保护和调制越来越受到重视，上电顺序、系统控制方式，无栅压保护等，微波脉冲功率放大器的工作时，输入信号一般采用射频调制信号，同时对功放直接调制，即通过外部TTL信号控制功率放大器内部功率管的工作状态。目前市面上的调制的实现方式一般采用模块方式，但是价格比较昂贵。
技术实现思路
本专利技术提出一种功率放大器保护及控制电路，采用分离式通用器件对功率放大器进行调制和控制，器件较少，易于实现，且成本较低。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种功率放大器保护电路，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供...
【技术保护点】
1.一种功率放大器保护电路，其特征在于，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供电。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器保护电路，其特征在于，包括晶体管驱动器、晶体管和功率放大器；所述晶体管驱动器的输出端与所述晶体管的栅极连接，以调制所述晶体管的通断；所述晶体管的漏极接电源，源极与所述功率放大器的输入端连接，作为所述功率放大器的漏极供电。
2.根据权利要求1所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述晶体管驱动器为NMOS管驱动器，所述晶体管为NMOS管，所述功率放大器为GaN微波功率放大器。
3.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述NMOS管驱动器的HB端连接自举电容的一端，自举电容的另一端连接NMOS管的源极，以提供脉冲瞬间的Vgs供电电压。
4.根据权利要求2所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述NMOS管的源极连接有卸放电路。
5.根据权利要求4所述的一种功率放大器保护电路，其特征在于，所述卸放电路包括钳位二极管，钳位二极管的阴极连接NMOS管的源极，阳极接地。
6.一种功率放大器控制电路，基于权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠平，叶森，甘福同，
申请(专利权)人：上海大际电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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