ESD结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于射频放大器的ESD结构，包括：第一ESD电路，其一端连接在射频放大器输入端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；第二ESD电路，其一端连接在射频放大器输出端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；第三ESD电路，其连接在射频放大器输入端和输出端之间。本实用新型专利技术能实现多端口的ESD保护，又同时能保证射频信号正常工作，能减小对射频放大器线性度产生的影响。

ESD structure

【技术实现步骤摘要】
ESD结构
本技术涉及一种用于射频放大器的ESD结构。
技术介绍
射频(RF)是RadioFrequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300kHz～300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。射频(300K-300G)是高频(大于10K)的较高频段，微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段。在电子学理论中，电流流过导体，导体周围会形成磁场；交变电流通过导体，导体周围会形成交变的电磁场，称为电磁波。在电磁波频率低于100kHz时，电磁波会被地表吸收，不能形成有效的传输，但电磁波频率高于100kHz时，电磁波可以在空气中传播，并经大气层外缘的电离层反射，形成远距离传输能力。我们把具有远距离传输能力的高频电磁波称为射频，射频技术在无线通信领域中被广泛使用。射频系统必须对ESD(静电)做保护，而一般放大器的输出端功率较高，电压摆幅很大，因此用一般的二极管级联(正向反向二极管串联)的方法，占用面积很大，而且对线性度有影响。而放大器的输出端，一般接天线端，很容易受到ESD的损伤，尤其需要保护。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种能实现多端口的ESD保护，又同时能保证射频信号正常工作，能减小对射频放大器线性度产生影响用于射频放大器的ESD结构。为解决上述技术问题，本技术提供用于射频放大器的ESD结构，包括：第一ESD电路，其一端连接在射频放大器输入端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；第二ESD电路，其一端连接在射频放大器输出端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；第三ESD电路，其连接在射频放大器输入端和输出端之间。进一步改进所述的ESD结构，第一ESD电路和第二ESD电路是电感、二极管串或电感电容并联网络。进一步改进所述的ESD结构，第三ESD电路是电感或电感电容并联网络。进一步改进所述的ESD结构，第三ESD电路的电感是射频放大器集成的电感或键合线构成的电感。进一步改进所述的ESD结构，射频放大器是差分驱动射频放大器，包括并联连接的作为差分输入的第一放大器和第二放大器，串联在第一放大器和第二放大器输出端的第三放大器；第一变压器，其连接在差分驱动射频放大器输入端和第一放大器输入端之间；第二变压器，其连接在差分驱动射频放大器输入端和第二放大器输入端之间；其中，第一变压器和第二变压器主线圈串联形成主线圈串，主线圈串一端连接差分驱动射频放大器输入端另一端接地，第一变压器和第二变压器次线圈串联在第一放大器输入端和第二放大器输入端之间；第四ESD电路，其一端连接在第一变压器和第二变压器次线圈之间，其另一端接虚地点；第三变压器，其连接在第一放大器输出端和第三放大器输入端之间；第四变压器，其连接在第二放大器输出端和第三放大器输入端之间；其中，第三变压器和第四变压器主线圈串联在第一放大器输出端和第二放大器输出端之间，第三变压器和第四变压器次线圈串联形成次线圈串，次线圈串一端连接第三放大器输入端另一端接地；第五ESD电路，其一端连接在第一变压器和第二变压器次线圈之间，其另一端连接差分驱动射频放大器输出端。进一步改进所述的ESD结构，第四ESD电路是电感、二极管串或电感电容并联网络。进一步改进所述的ESD结构，第一变压器～第四变压器是带阻抗变换变压器。进一步改进所述的ESD结构，第五ESD电路是电感或电感电容并联网络。进一步改进所述的ESD结构，第五ESD电路的电感是射频放大器集成的电感或键合线构成的电感。本技术在射频信号摆幅相对较小的点插入第一ESD电路(到地)，第一ESD电路(到地)可以设置在射频放大器输入端、电源端或者芯片的其他任意逻辑控制端，这样输入端在ESD上被保护起来；第三ESD电路可以设置在射频放大器输入端和输出端之间，这样输出端也在ESD上被保护起来。由于第三ESD结构在射频工作频率上进行了信号隔离(电容电感并联可以构成并联谐振网络)，因此对射频放大器输出端的影响很小。第二ESD电路，可以设置在射频放大器输出端、电源端或者芯片的其他任意逻辑控制端，这样输出端在ESD上也被保护起来。同时，由于第二ESD结构在射频工作频率上进行了信号隔离，对芯片本身的射频信号的放大影响很小，因此既做到了多端口的ESD保护，又同时保证了射频信号的正常工作。差分驱动结构的射频放大器，虚地点(virtualground)上的摆幅很小，就算不是真的强接地，也能被认为是一个不错的低电平参考点，因为这个位置上面的信号摆幅非常小。当驱动级是差分的，而输出级是单端的(singleended)的情况，可以用第五ESD电路，连接输出端到驱动级的输入virtualground点。这样输出端在ESD上也被保护起来。同时，由于第五ESD电路在射频工作频率上进行了信号隔离，而输入端virtualground点本身对射频信号的影响很小，因此既做到了多端口的ESD保护，又同时保证了射频信号的正常工作。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是本技术第一实施例结构示意图。图2是本技术第二实施例结构示意图。附图标记说明射频放大器1第一ESD电路2第二ESD电路3第三ESD电路4第一放大器5第二放大器6第三放大器7第一变压器8和第二变压器9第四ESD电路10第三变压器11第四变压器12第五ESD电路13射频放大器输入端A射频放大器输出端B。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本专利技术的其他优点与技术效果。本专利技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离专利技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图1所示，本技术提供用于射频放大器的ESD结构第一实施例，包括：第一ESD电路2，其一端连接在射频放大器1输入端A，其另一端接地；第二ESD电路3，其一端连接在射频放大器1输出端B，其另一端接地；第三ESD电路4，其连接在射频放大器1输入端A和输出端B之间。其中，第一ESD电路2和第二ESD电路3结构相同，第一ESD电路2和第二ESD电路3是电感，第三ESD电路4是电感电容并联网络(一电感和一电容并联)。第三ESD电路4的电感是射频放大器1集成的电感或键合线构成的电感。如图2所示，本技术提供用于射频放大器的ESD结构第二实施例，射频放大器是差分驱动射频放大器1包括并联连接的作为差分输入的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ESD结构，其用于射频放大器，其特征在于，包括：/n第一ESD电路，其一端连接在射频放大器输入端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；/n第二ESD电路，其一端连接在射频放大器输出端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；/n第三ESD电路，其连接在射频放大器输入端和输出端之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种ESD结构，其用于射频放大器，其特征在于，包括：
第一ESD电路，其一端连接在射频放大器输入端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；
第二ESD电路，其一端连接在射频放大器输出端、电源端、或者芯片的其他任意逻辑控制端，其另一端接地；
第三ESD电路，其连接在射频放大器输入端和输出端之间。


2.如权利要求1所述的ESD结构，其特征在于：第一ESD电路和第二ESD电路是电感、二极管串或电感电容并联网络。


3.如权利要求1所述的ESD结构，其特征在于：第三ESD电路是电感或电感电容并联网络。


4.如权利要求3所述的ESD结构，其特征在于：第三ESD电路的电感是射频放大器集成的电感或键合线构成的电感。


5.如权利要求1所述的ESD结构，其特征在于：射频放大器是差分驱动射频放大器，包括并联连接的作为差分输入的第一放大器和第二放大器，串联在第一放大器和第二放大器输出端的第三放大器；
第一变压器，其连接在差分驱动射频放大器输入端和第一放大器输入端之间；
第二变压器，其连接在差分驱动射频放大器输入端和第二放大器输入端之间；
其中，第一变压器和第二变压器主线圈串联形成主线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王咏，曾进，赵奂，
申请(专利权)人：康希通信科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31