一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法技术

技术编号:24291247 阅读:55 留言:0更新日期:2020-05-26 20:35
一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法,包括至少一芯片,芯片设有第一表面和第二表面,该第一表面设有功能区和电极,还包括一玻璃基板,其上设置至少一个通槽和至少一个通孔,该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料;该芯片和一散热金属块通过粘结结构嵌于通槽内,且散热金属块位于芯片的第二表面;粘结结构还填充至通孔内,并在芯片第一表面和玻璃基板一表面构成第一布线面,在散热金属块表面和玻璃基板另一表面构成第二布线面;第一布线面设有至少一金属线路以与芯片的电极电性相连;第二布线面上设有至少一接地层和至少一天线层,该天线层与通孔上的金属导电材料电性相连。本发明专利技术结构紧凑,封装厚度薄,且传输信号线路短、损耗低,电学性能高。

A three-dimensional packaging structure of integrated chip and antenna and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装领域,特别是指一种一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着高频电子产品朝着高速化和小型化的方向发展,业界为便携式设备、娱乐和汽车等主流应用带来垂直堆叠封装方案。传统的天线通常以二维平面方式和毫米波芯片一起组装在PCB板上,因此封装体积大,面积大,整合性差,在毫米波传输下损耗大。因此,为减少天线所占电路板面积以及合理布置封装结构,提高整个天线封装效率和天线性能,需要一个高性能、紧凑和完全集成的天线封装方案。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术中的上述缺陷,提出一种结构紧凑、传输信号线路短、损耗低、面积小的芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法。本专利技术采用如下技术方案:一种芯片和天线集成的三维封装结构,包括至少一芯片,芯片设有第一表面和第二表面,该第一表面设有功能区和电极,其特征在于:还包括一玻璃基板,其上设置至少一个通槽和至少一个通孔,该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料;该芯片和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片和天线集成的三维封装结构,包括至少一芯片,芯片设有第一表面和第二表面,该第一表面设有功能区和电极,其特征在于:还包括一玻璃基板,其上设置至少一个通槽和至少一个通孔,该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料;该芯片和一散热金属块通过粘结结构嵌于通槽内,且散热金属块位于芯片的第二表面;粘结结构还填充至通孔内,并在芯片第一表面和玻璃基板一表面构成第一布线面,在散热金属块表面和玻璃基板另一表面构成第二布线面;第一布线面设有至少一金属线路以与芯片的电极电性相连;第二布线面上设有至少一接地层和至少一天线层,该天线层与通孔上的金属导电材料电性相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片和天线集成的三维封装结构,包括至少一芯片,芯片设有第一表面和第二表面,该第一表面设有功能区和电极,其特征在于:还包括一玻璃基板,其上设置至少一个通槽和至少一个通孔,该通槽和通孔内壁分别沉积有金属导电材料;该芯片和一散热金属块通过粘结结构嵌于通槽内,且散热金属块位于芯片的第二表面;粘结结构还填充至通孔内,并在芯片第一表面和玻璃基板一表面构成第一布线面,在散热金属块表面和玻璃基板另一表面构成第二布线面;第一布线面设有至少一金属线路以与芯片的电极电性相连;第二布线面上设有至少一接地层和至少一天线层,该天线层与通孔上的金属导电材料电性相连。


2.如权利要求1所述的一种芯片和天线集成的三维封装结构,其特征在于:所述接地层和所述天线层之间还设有绝缘层,该绝缘层为聚合物胶、玻璃、陶瓷或硅。


3.如权利要求1所述的一种芯片和天线集成的三维封装结构,其特征在于:所述接地层位于所述第一布线面表面并设有开孔,所述天线层延伸至开孔内以与所述通孔处的金属导电材料电性连接。


4.如权利要求2所述的一种芯片和天线集成的三维封装结构,其特征在于:还包括有钝化层,其位于所述天线层表面和所述绝缘层外露的表面。


5.如权利要求1所述的一种芯片和天线集成的三维封装结构,其特征在于:所述金属线路包括金属布线层和金属凸块;该金属布线层位于第一布线面表面并与所述芯片的电极电性...

【专利技术属性】
技术研发人员:于大全
申请(专利权)人:厦门云天半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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