【技术实现步骤摘要】
具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法本申请要求于2018年11月19日提交的标题为“氧化硅腐蚀抑制剂”的USSN62/769,195和2019年11月12日提交的美国申请号16/681246的优先权。
本专利技术涉及用于半导体器件制造的水性蚀刻溶液。更具体地，本专利技术涉及一种用于在使用结构体产生晶体管的工艺中选择性蚀刻由硅制成的虚拟栅极的蚀刻溶液，该结构体包括通过层合至少高介电材料膜和由硅制成的虚拟栅极而形成的虚拟栅极层合体(gatelaminate)，其中该虚拟栅极被包含铪、锆、钛、钽或钨的金属栅极代替；以及涉及使用该蚀刻溶液制造晶体管的工艺。
技术介绍
通过减小晶体管的栅极长度和栅极厚度，即所谓的晶体管的微细化，半导体在性能、成本和功耗方面得到持续改善。为了继续实现晶体管的微细化以满足未来的需求，使用由氧化硅制成的常规栅极绝缘膜的晶体管的栅极厚度变得过小，使得由于隧道电流引起的泄漏电流增加，并且功耗变大。此外，近年来，对于使用半导体器件的移动设备如移动电话、笔记本型个人计算机和便携式音乐播放器的需求不断增...
【技术保护点】
1.一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，其包含：/n水；/n至少一种季铵氢氧化物化合物；/n任选地，至少一种链烷醇胺化合物；/n至少一种水混溶性有机溶剂；/n至少一种含氮化合物，其选自C
【技术特征摘要】
20181119 US 62/769,195;20191112 US 16/681,2461.一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，其包含：
水；
至少一种季铵氢氧化物化合物；
任选地，至少一种链烷醇胺化合物；
至少一种水混溶性有机溶剂；
至少一种含氮化合物，其选自C4-12烷基胺、聚亚烷基亚胺、多胺、含氮杂环化合物、含氮芳族化合物以及含氮杂环和芳族化合物；和
任选地，表面活性剂。
2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述至少一种季铵氢氧化物化合物选自苄基三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)、2-羟基乙基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵及其混合物；和
所述至少一种链烷醇胺化合物存在并且选自N-甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、三乙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇(AEE)、三乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、环己胺二乙醇、二异丙醇胺、环己胺二乙醇及其混合物。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其中所述至少一种季铵氢氧化物化合物是乙基三甲基氢氧化铵，并且所述链烷醇胺存在并且是单乙醇胺。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述至少一种水混溶性有机溶剂选自环丁砜、DMSO和丙二醇。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述至少一种含氮化合物是五甲基二亚乙基三胺、辛胺或聚亚烷基亚胺。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述至少一种含氮化合物选自苯胺、3,4-(亚甲基二氧基)苯胺、苯胺-2-磺酸、N-(2-羟基乙基)苯胺、4-(三氟甲基)苯胺、4-(甲硫基)苯胺、3-(甲硫基)苯胺、3-(1-氨基乙基)苯胺、4-(辛基氧基)苯胺、4-(哌啶-1-基甲基)苯胺、对甲苯胺、N-乙基4-氟苯胺、4-异丙基苯胺、4-硝基苯胺、对甲氧基苯胺、4-氯苯胺、4-碘苯胺、4-氨基苯甲酸甲酯、N,N-二乙基-对苯二胺、N,N-二甲基-对苯二胺、邻苯二胺、N-苯基乙二胺、间苯二胺、对苯二胺、4,5-二甲基-1,2-苯二胺、4-甲基-邻苯二胺、4-甲基-间苯二胺、2-甲基-间苯二胺、N-苯基-邻苯二胺、4-硝基-邻苯二胺、3-硝基-1,2-苯二胺、4,5-二氯-邻苯二胺、2,3-二氨基甲苯、3,4-二氨基甲苯、3,4-二氨基苯甲酮、3,4-二胺苯甲酸、3,4-二氨基苯甲醚、喹啉、喹啉-8-甲醇、7-溴-8-羟基喹啉、8-羟基喹啉(8-HQ)、8-羟基喹啉硫酸盐一水合物、8-喹啉醇半硫酸盐、5-氯-8-喹啉醇、2-氨基-8-喹啉醇、4,8-二甲基-2-羟基喹啉、2-甲基-8-喹啉醇、8-羟基-2-甲基喹啉、8-羟基-5-硝基喹啉、8-羟基-2-喹啉甲醛、8-羟基-2-喹啉羧酸、2,8-喹啉二醇、吡啶、吡啶盐酸盐、4-(氨基甲基)吡啶、2-(甲基氨基)吡啶、2-(二甲基氨基)吡啶、4-(二甲基氨基)吡啶、2-吡啶甲酸、2-氨基吡啶、2,4-二氨基吡啶、苯并咪唑、巯基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑(...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文达，李翊嘉，张仲逸，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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