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本文描述的是一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；至少一种季铵氢氧化物化合物；任选地，至少一种链烷醇胺化合物；水混溶性溶剂；选自C...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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