集成芯片、智能功率模块及空调器制造技术

本实用新型专利技术公开一种集成芯片、智能功率模块及空调器，该集成芯片包括：安装基板；铝/钛多层薄膜，设置于安装基板上；芯片，设置于铝/钛多层薄膜上。本实用新型专利技术铝/钛多层薄膜焊接材料反应生成的铝钛合金具有良好的热导率和电绝缘性，从而可以提高芯片与安装基板的散热效率和绝缘性。

Integrated chip, intelligent power module and air conditioner

【技术实现步骤摘要】
集成芯片、智能功率模块及空调器
本技术涉及电子电路
，特别涉及一种集成芯片、智能功率模块及空调器。
技术介绍
在集成芯片中，通常是将芯片焊接在安装基板的焊垫上，然而由于芯片焊接时温度较高或者焊料较多，容易在安装基板的非焊接面形成大量的小黑点和小焊料凸点，会严重影响芯片安装的安装基板散热效果以及绝缘效果。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种集成芯片、智能功率模块及空调器，旨在提高芯片与安装基板的散热效率和绝缘性。为实现上述目的，本技术提出一种集成芯片，所述集成芯片包括：安装基板；铝/钛多层薄膜，设置于所述安装基板上；芯片，设置于所述铝/钛多层薄膜上。可选地，所述铝/钛多层薄膜发生自蔓延反应使所述芯片焊接于所述铝/钛多层薄膜上。可选地，所述铝/钛多层薄膜包括铝薄膜和钛薄膜，所述铝薄膜和所述钛薄膜依次交替设置于所述安装基板上。可选地，所述铝薄膜的厚度为25nm；和/或，所述钛薄膜的厚度为25nm。可选地，所述铝薄膜和所述钛薄膜的层数总计为50。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括：/n安装基板；/n铝/钛多层薄膜，设置于所述安装基板上；其中，所述铝/钛多层薄膜包括铝薄膜和钛薄膜，所述铝薄膜和所述钛薄膜依次交替设置于所述安装基板上；/n芯片，设置于所述铝/钛多层薄膜上。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括：
安装基板；
铝/钛多层薄膜，设置于所述安装基板上；其中，所述铝/钛多层薄膜包括铝薄膜和钛薄膜，所述铝薄膜和所述钛薄膜依次交替设置于所述安装基板上；
芯片，设置于所述铝/钛多层薄膜上。


2.如权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述铝/钛多层薄膜发生自蔓延反应使所述芯片焊接于所述铝/钛多层薄膜上。


3.如权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述铝薄膜的厚度为25nm；
和/或，所述钛薄膜的厚度为25nm。


4.如权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述铝薄膜和所述钛薄膜的层数总计为50。


5.如权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述芯片的数量为多个，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇新，冯宇翔，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44