发光二极管及其制造方法技术

提供了一种制造发光二极管(LED)的方法。所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在n型半导体层的第一区域中形成n型电极；在n型半导体层的第二区域中形成有源层，第二区域是除第一区域以外的区域；在有源层上形成p型半导体层；以及通过蚀刻有源层和p型半导体层的区域来形成电阻层。

LED and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及其制造方法
与本公开一致的装置和方法涉及一种发光二极管(LED)装置及其制造方法，更具体地，涉及一种包括电阻层的LED装置及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)具有相对较长的寿命、低功耗和快速响应速度，因此被用在各种类型的显示装置和照明设备中。显示器的每英寸像素(ppi)和亮度根据显示装置的目的、尺寸等而变化。因此，显示器的每个像素所需的发光强度可以变化。作为响应，可以通过控制电流量或控制LED的芯片尺寸来满足所需的发光强度。然而，如果仅控制电流量，则可能会降低效率，并且如果控制芯片尺寸，则可能需要各种生产线，从而增加了单位生产成本。
技术实现思路
【技术问题】【技术方案】根据本公开的一方面，提供了一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在n型半导体层的第一区域中形成n型电极；在n型半导体层的第二区域中形成有源层，第二区域是除第一区域以外的区域；在有源层上形成p型半导体层；以及通过蚀刻有源层和p型半导体层的区域来形成电阻层。形成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造发光二极管LED的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成n型半导体层；/n在所述n型半导体层的第一区域中形成n型电极；/n在所述n型半导体层的第二区域中形成有源层，所述第二区域是除所述第一区域以外的区域；/n在所述有源层上形成p型半导体层；以及/n通过蚀刻所述有源层和所述p型半导体层的区域来形成电阻层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171023 KR 10-2017-01376401.一种制造发光二极管LED的方法，所述方法包括：
在衬底上形成n型半导体层；
在所述n型半导体层的第一区域中形成n型电极；
在所述n型半导体层的第二区域中形成有源层，所述第二区域是除所述第一区域以外的区域；
在所述有源层上形成p型半导体层；以及
通过蚀刻所述有源层和所述p型半导体层的区域来形成电阻层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电阻层包括：通过蚀刻所述有源层的外部区域和所述p型半导体层的外部区域的至少一部分，将具有大于或等于预设电阻的电阻值的高电阻层形成为等于所述p型半导体层的高度，
其中所述方法还包括在所述p型半导体层的区域中形成p型电极。


3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电阻层包括：
通过蚀刻所述有源层的外部区域和所述p型半导体层的外部区域的至少一部分，将具有大于或等于预设电阻的电阻值的高电阻层形成为等于所述p型半导体层的高度；以及
在所述高电阻层和所述p型半导体层上形成具有低于所述预设电阻的电阻值的低电阻层，
其中所述方法还包括在所述低电阻层的区域中形成p型电极。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述p型半导体层上形成p型电极，
其中形成所述电阻层包括：通过从所述p型电极向所述有源层蚀刻堆叠有所述有源层、所述p型半导体层和所述p型电极的区域的一部分，形成绝缘层。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述p型电极被所述绝缘层划分为第一p型电极和第二p型电极，
其中所述方法还包括：形成被配置为在所述第一p型电极和所述第二p型电极中的仅一个p型电极上连接到外部衬底的p型焊盘。


6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一区域是所述n型半导体层的外部区域，并且所述第二区域是矩形区域，所述矩形区域包括所述n型半导体层中的除所述外部区域以外的内部区域的中央部分，
其中形成所述电阻层包括：蚀刻堆叠有所述n型电极、所述n型半导体层、所述有源层、所述p型半导体层和所述p型电极的区域，以自形成在所述第一区域的第一边缘处的n型电极的一部分横跨到形成在与所述第一边缘相对的第二边缘处的n型电极的一部分；
通过用绝缘材料填充所蚀刻区域来形成所述绝缘层。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述n型电极被所述绝缘层划分为第一n型电极和第二n型电极，
其中所述方法还包括：形成被配置为在所述第一n型电极和所述第二n型电极中的仅一个n型电极上连接到外部衬底的n型焊盘。


8.根据权利要求6所述的方法，其中所述n型电极被所述绝缘层划...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜镇模，姜智薰，赵晟佑，康志宁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR