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提供了一种制造发光二极管(LED)的方法。所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在n型半导体层的第一区域中形成n型电极；在n型半导体层的第二区域中形成有源层，第二区域是除第一区域以外的区域；在有源层上形成p型半导体层；以及通过蚀刻有源层和...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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