【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种紫外LED芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管，英文单词的缩写LED，主要含义：LED＝LightEmittingDiode，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，作为照明器件，相对传统照明器件，发光二极管有相当大优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。为了减少蓝光的公害，紫光的应用是健康照明的重要一环。但是现有LED制程所使用的材质，对于紫光的具有很强的吸收，严重影响紫外LED芯片的出光效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种紫外LED芯片，电压低、亮度高。本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种紫外LED芯片的制作方法，芯片电压低、亮度高。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种紫外LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层，所述...
【技术保护点】
1.一种紫外LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层和AzO层，所述ITO层设于外延层和AzO层之间，所述ITO层的厚度为5～20nm，所述AzO层的厚度为150～500nm。/n
【技术特征摘要】
1.一种紫外LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层和AzO层，所述ITO层设于外延层和AzO层之间，所述ITO层的厚度为5～20nm，所述AzO层的厚度为150～500nm。
2.如权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述ITO层的厚度为10～20nm，所述AzO层的厚度为200～300nm。
3.如权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述保护层由能阶大于6.4ev的透明材料制成。
4.如权利要求3所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述保护层由氮化硼制成，所述保护层的厚度为10～300nm。
5.如权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述ITO层设置在第二半导体层上，所述第二电极设置在AzO层上，所述第一电极设置在第一半导体层上。
6.如权利要求5所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述第二电极贯穿所述透明导电层，同时设置在AzO层和第二半导体层上。
7.一种紫外LED芯片的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。