发光装置的制造方法制造方法及图纸

发光装置的制造方法具备如下工序：准备在光反射部件内沿第1方向排列多个层叠体的中间构造体，各层叠体具备沿第2方向排列的第1电极及第2电极、与第1电极及第2电极连接的半导体层叠体、配置于半导体层叠体上的透光性部件，该中间构造体具有供第1电极及第2电极从光反射部件露出的第1面；在第1面中的位于第1层叠体的第1电极与第2层叠体的第1电极间的光反射部件形成第1孔，在位于第1层叠体的第2电极与第2层叠体的第2电极间的光反射部件形成第2孔；在第1层叠体及第2层叠体各自的第1电极及第2电极的在第1面中的露出面、第1孔内及第2孔内形成导电膜；在穿过第1孔及第2孔的位置切断光反射部件及导电膜得到多个发光装置。

Manufacturing method of luminous device

【技术实现步骤摘要】
发光装置的制造方法
本专利技术涉及发光装置的制造方法。
技术介绍
专利文献1中公开了侧面发光型的发光装置。在专利文献1的发光装置中，在背面侧具备电路基板，因而存在发光面与背面之间的厚度增厚的趋势。专利文献1：日本特开2012-124191号公报
技术实现思路
因此，在本专利技术的一个实施方式中，其目的在于，提供一种小型的发光装置的制造方法。本专利技术的一个实施方式的发光装置的制造方法具备如下工序：准备中间构造体，上述中间构造体通过在光反射部件内沿第1方向排列包括第1层叠体以及与第1层叠体邻接的第2层叠体的多个层叠体而成，各层叠体具备沿与第1方向正交的第2方向依次排列的第1电极以及第2电极、与第1电极以及第2电极连接的半导体层叠体、配置于半导体层叠体上的透光性部件，上述中间构造体具有供第1电极以及第2电极从光反射部件露出的第1面；在第1面中，在位于第1层叠体的第1电极与第2层叠体的第1电极之间的光反射部件形成第1孔，在位于第1层叠体的第2电极与第2层叠体的第2电极之间的光反射部件形成第2孔；在第1层叠体以及第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：/n准备中间构造体，所述中间构造体通过在光反射部件内沿第1方向排列包括第1层叠体以及与所述第1层叠体邻接的第2层叠体的多个层叠体而成，各所述层叠体具备沿与所述第1方向正交的第2方向依次排列的第1电极以及第2电极、与所述第1电极以及第2电极连接的半导体层叠体、配置于所述半导体层叠体上的透光性部件，所述中间构造体具有供所述第1电极以及第2电极从所述光反射部件露出的第1面；/n在所述第1面中，从所述第2方向观察在位于所述第1层叠体的第1电极与所述第2层叠体的第1电极之间的所述光反射部件形成第1孔，从所述第2方向观察在位于所述第1层叠体的第2电极与...

【技术特征摘要】
20181115 JP 2018-214461;20190930 JP 2019-1793031.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
准备中间构造体，所述中间构造体通过在光反射部件内沿第1方向排列包括第1层叠体以及与所述第1层叠体邻接的第2层叠体的多个层叠体而成，各所述层叠体具备沿与所述第1方向正交的第2方向依次排列的第1电极以及第2电极、与所述第1电极以及第2电极连接的半导体层叠体、配置于所述半导体层叠体上的透光性部件，所述中间构造体具有供所述第1电极以及第2电极从所述光反射部件露出的第1面；
在所述第1面中，从所述第2方向观察在位于所述第1层叠体的第1电极与所述第2层叠体的第1电极之间的所述光反射部件形成第1孔，从所述第2方向观察在位于所述第1层叠体的第2电极与所述第2层叠体的第2电极之间的所述光反射部件形成第2孔；
在所述第1层叠体以及所述第2层叠体各自的所述第1电极以及第2电极的在所述第1面中的露出面、所述第1孔内以及所述第2孔内形成导电膜；以及
在穿过所述第1孔以及所述第2孔的位置切断所述光反射部件以及所述导电膜而得到多个发光装置。


2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第1孔以及所述第2孔的工序中，
所述第1孔以及所述第2孔形成为在所述第1面开口，在位于所述第1面的相反侧的第2面不开口。


3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田忠昭，桥本启，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP