【技术实现步骤摘要】
一种新型紫外发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及一种发光二极管器件结构及其制备方法，特别涉及一种新型p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质结紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体发光二极管领域。
技术介绍
基于三族元素半导体材料的紫外发光二极管(UVLED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明灯领域有着广阔的应用。UVLED有着无汞环保、小巧便携、低功耗、低电压等许多优势，据估计其相关市场规模可高达数十亿美元，因而近年来受到越来越多的关注和重视。对于基于氮化物的紫外(UV)LED，随着Al组分的增加，可实现达到UVC光谱范围的较短波长(<280nm)，但p型掺杂问题变得更加严重，导致空穴注入效率非常低。目前，所有基于AlGaN的LED均采用p型GaN作为其空穴注入源，根据接触层的需要，p型GaN的厚度通常为100-200nm，由于GaN和AlGaN之间的晶格失配，P型GaN的质量会劣化，进一步降低了p型GaN中的空穴浓度。另外p型GaN会强烈吸收量子阱有源区发出的紫外光，降低紫外LED的光...
【技术保护点】
1.一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，所述紫外发光二极管从下至上依次包括p型电极、p-Si衬底、介质层、n-Al
【技术特征摘要】
1.一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，所述紫外发光二极管从下至上依次包括p型电极、p-Si衬底、介质层、n-AlxGayIn2-x-yO3层，n型电极。
2.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，所述异质结的p-Si材料为衬底，组成异质结的n-AlxGayIn2-x-yO3材料通过磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积法、金属有机化学物化学气相沉淀、分子束外延、原子层沉积中的一种在p-Si衬底上得到。
3.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，其中x的数值范围是0-2。
4.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO33作为异质结，其中n-AlxGayIn2-x-yO3的制作温度为300K-2000K。
5.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，其中n-AlxGayIn2-x-yO3的掺杂元素为Si、p、As中的一种。
6.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，其中n-AlxGayIn2-x-yO3的厚度为10nm-5000nm。
7.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，其中p-Si的掺杂浓度为3×1016～5×1021cm-3。
8.根据权利要求1所述一种新型紫外发光二极管及其制备方法，其特征在于，采用p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3作为异质结，其中p-Si的晶向为(110)、(111)和(001)中的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪炼成，梁思远，张羽，万荣桥，高祥，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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