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本发明公开了一种紫外LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层和AzO层，所述ITO层设于外延层和AzO层...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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