一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示器技术领域，公开了一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。其中，该阵列基板的制造方法包括依次沉积于基板上的栅金属薄膜层、栅绝缘层、半导体层、以及金属层；在该金属层上涂覆一层光刻胶，通过曝光、显影形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；通过第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层，通过湿蚀刻，形成金属层凹坑，通过第二次灰化处理将第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的光刻胶刻蚀掉，进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。这样，通过采用第二次灰化处理，将残余的光刻胶刻蚀掉，保证光刻胶与金属层的边缘相齐平，降低了金属层与光刻胶之间的尺寸偏差。

Manufacturing method, display panel and display device of array substrate

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置
本专利技术属于显示器
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，电子设备(例如智能手机、笔记本电脑、数码相机等)越来越普及，使得作为电子设备的重要部件的液晶显示器的需求量也大大提升，从而推动了液晶显示面板行业的快速发展。现有的显示面板制造行业中，光刻掩膜版是在光刻工艺的关键部件，利用紫外光和光刻掩膜版对涂布有光刻胶上设计的图形进行曝光，可将光刻掩膜版上的电子器件图案转写到基板上，并经过显影、刻蚀、剥离等工艺形成电子器件。然而，在光刻工艺过程中，由于光刻胶与沉积于基板上的金属层之间存在特征尺寸偏差(即设计值与实际值之间的偏差)，影响了后续的刻蚀工艺，进而影响了阵列面板的电性表现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，旨在解决现有光刻工艺中因光刻胶与金属层之间存在尺寸偏差而影响阵列面板电性的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种阵列基板制造方法，包括：在基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；/n在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；/n进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；/n进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；/n进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；/n进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；
在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；
进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；
进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；
进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；
进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。


2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次灰化处理采用氧气或六氟化硫气体刻蚀。


3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括硅基薄膜层和沉积于所述硅基薄膜层上的欧姆接触层。


4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤之后还包括如下步骤：
进行干蚀刻，将暴露在所述金属层凹坑中的所述欧姆接触层刻蚀掉，漏出所述硅基薄膜层，以此形成薄膜晶体管沟道区域图形。


5.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述金属层上设置光刻胶并形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域的步骤与所述进行第一次灰...

【专利技术属性】
技术研发人员：付婷婷，葛邦同，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44