一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示器技术领域，公开了一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。其中，该阵列基板的制造方法包括依次沉积于基板上的栅金属薄膜层、栅绝缘层、半导体层、以及金属层；在该金属层上涂覆一层光刻胶，通过曝光、显影形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；通过第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层，通过湿蚀刻，形成金属层凹坑，通过第二次灰化处理将第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的光刻胶刻蚀掉，进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。这样，通过采用第二次灰化处理，将残余的光刻胶刻蚀掉，保证光刻胶与金属层的边缘相齐平，降低了金属层与光刻胶之间的尺寸偏差。

Manufacturing method, display panel and display device of array substrate

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置
本专利技术属于显示器
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，电子设备(例如智能手机、笔记本电脑、数码相机等)越来越普及，使得作为电子设备的重要部件的液晶显示器的需求量也大大提升，从而推动了液晶显示面板行业的快速发展。现有的显示面板制造行业中，光刻掩膜版是在光刻工艺的关键部件，利用紫外光和光刻掩膜版对涂布有光刻胶上设计的图形进行曝光，可将光刻掩膜版上的电子器件图案转写到基板上，并经过显影、刻蚀、剥离等工艺形成电子器件。然而，在光刻工艺过程中，由于光刻胶与沉积于基板上的金属层之间存在特征尺寸偏差(即设计值与实际值之间的偏差)，影响了后续的刻蚀工艺，进而影响了阵列面板的电性表现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，旨在解决现有光刻工艺中因光刻胶与金属层之间存在尺寸偏差而影响阵列面板电性的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种阵列基板制造方法，包括：在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。在一个实施例中，所述第二次灰化处理采用氧气或六氟化硫气体刻蚀。在一个实施例中，所述半导体层包括硅基薄膜层和沉积于所述硅基薄膜层上的欧姆接触层。在一个实施例中，所述进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤之后还包括如下步骤：进行干蚀刻，将暴露在所述金属层凹坑中的所述欧姆接触层刻蚀掉，漏出所述硅基薄膜层，以此形成薄膜晶体管沟道区域图形。在一个实施例中，在所述金属层上设置光刻胶并形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域的步骤与所述进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层的步骤之间还包括如下步骤：采用湿蚀刻工艺对所述完全曝光区域进行刻蚀，将所述完全曝光区域的金属层刻蚀掉；对所述完全曝光区域的欧姆接触层采用干蚀刻工艺进行蚀刻以形成数据线、源电极及漏电极。在一个实施例中，在进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤中还包括如下步骤：在所述完全曝光区域内沉积一层钝化层，通过干蚀刻在所述钝化层上制作出过孔；在所述钝化层上沉积一层导电薄膜，通过干蚀刻使所述导电薄膜形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电性连接；剥离剩余的光刻胶。在一个实施例中，所述栅绝缘层及所述半导体层通过化学气相沉积法依次沉积于所述基板上，所述金属层通过物理气相沉积法沉积于所述半导体层上。在一个实施例中，所述栅绝缘层的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化物。本专利技术的目的还在于提供一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板制造方法制备而成。本专利技术的另一目的还在于提供一种显示装置，包括显示主机、以及用于支撑所述显示主机的底座，所述显示主机包括如上所述的显示面板。本专利技术提供的阵列基板的制造方法的有益效果在于：本专利技术通过采用第一次灰化处理，可去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应部分曝光区域的金属层；随后，通过进行湿蚀刻，从而可对部分曝光区域的金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；由于经过第一次灰化处理后，未能完全将金属层凹坑上方的光刻胶完全去除掉，故而需通过采用第二次灰化处理，将金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的的残余的光刻胶刻蚀掉，即通过在横向方向上减少第一次灰化处理未刻蚀掉光刻胶的覆盖量，保证光刻胶与金属层的边缘相齐平，降低了金属层与光刻胶之间的尺寸偏差，为后续的刻蚀工艺提供保证，以实现后续的半导体与金属层对齐。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要实用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提出的阵列基板制造方法的流程图；图2为本专利技术实施例提出的在基板上沉积金属薄膜层的结构示意图；图3为本专利技术实施例提出的在基板上沉积栅绝缘层、半导体层、以及金属层的结构示意图；图4为本专利技术实施例提出的第一次灰化处理及湿蚀刻的结构示意图；图5为本专利技术实施例提出的第二次灰化处理的结构示意图；图6为本专利技术实施例提出的沉积钝化层与导电薄膜的结构示意图。其中，图中各附图标记：1-基板；2-栅金属薄膜层；3-栅绝缘层；4-半导体层；41-硅基薄膜层；42-欧姆接触层；5-金属层；50-金属层凹坑；6-光刻胶；7-钝化层；8-导电薄膜。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。另外，还需要说明的是，本专利技术实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的以下结合具体实施例对本专利技术的实现进行详细的描述。如图1～6所示，本实施例提出了一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板1上依次形成栅电极、栅绝缘层3、半导体层4以及金属层5；对应图1中的步骤a与步骤b；在所述金属层5上涂覆一层光刻胶6；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域A、部分曝光区域B以及完全曝光区域C；对应图1中的步骤c；进行第一次灰化处理去除部分曝光区域B的光刻胶6，暴露出对应所述部分曝光区域B的金属层5；对应图1中的步骤d；进行湿蚀刻对部分曝光区域B的金属层6进行刻蚀，形成金属层凹坑50，漏出半导体层4；对应图1中的步骤e；进行第二次灰化处理，将上述金属层凹坑50区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的光刻胶6刻蚀掉；对应图1中的步骤f；进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形；对应图1中的步骤g。在本实施例中，请参阅图4与图5，采用半色调或灰色调掩膜版曝光，使光刻胶6形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；/n在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；/n进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；/n进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；/n进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；/n进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上依次形成栅电极、栅绝缘层、半导体层以及金属层；
在所述金属层上涂覆一层光刻胶；通过曝光、显影步骤形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；
进行第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层；
进行湿蚀刻对部分曝光区域的所述金属层进行刻蚀，形成金属层凹坑，漏出半导体层；
进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域内经过第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的所述光刻胶刻蚀掉；
进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。


2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次灰化处理采用氧气或六氟化硫气体刻蚀。


3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括硅基薄膜层和沉积于所述硅基薄膜层上的欧姆接触层。


4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次灰化处理，将所述金属层凹坑区域对应的残余的所述光刻胶刻蚀掉的步骤之后还包括如下步骤：
进行干蚀刻，将暴露在所述金属层凹坑中的所述欧姆接触层刻蚀掉，漏出所述硅基薄膜层，以此形成薄膜晶体管沟道区域图形。


5.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述金属层上设置光刻胶并形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域的步骤与所述进行第一次灰...

【专利技术属性】
技术研发人员：付婷婷，葛邦同，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44