层叠体的加工方法技术

技术编号:24253400 阅读:58 留言:0更新日期:2020-05-23 00:34
提供层叠体的加工方法,在将借助透明的粘接层而在晶片的正面上配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片时,不会产生品质的降低。该层叠体的加工方法包含如下的工序:水溶性树脂填充工序,在通过分割工序形成的分割槽中填充水溶性树脂;改质层去除工序,在水溶性树脂固化的状态下将切削刀具定位于晶片的背面上所形成的分割槽而进行切削,将改质层去除;以及水溶性树脂去除工序,对扩展带进行扩展而成为扩展状态,并且维持该扩展状态而从晶片的背面提供清洗水,将填充在切削槽和分割槽中的水溶性树脂去除。

The processing method of lamination

【技术实现步骤摘要】
层叠体的加工方法
本专利技术涉及层叠体的加工方法,将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片。
技术介绍
由交叉的多条分割预定线划分而在硅等半导体基板的上表面上形成有多个CMOS、CCD等图像传感器的晶片通过以能够旋转的方式具有切削刀具的切割装置、或具有将激光光线会聚至被加工物而实施加工的聚光器的激光加工装置分割成各个图像传感器芯片,分割得到的器件芯片被用于数码相机、移动电话、显微镜等。图像传感器由于灰尘、划伤等而导致拍摄功能降低,因此在形成有多个图像传感器的晶片的上表面上配设玻璃等透明体而构成层叠体,由此保护图像传感器而免受划伤等的影响。例如作为将上述层叠体分割成各个图像传感器芯片的方法,提出了利用切割装置进行分割的方法(参照专利文献1)。另外,作为将该层叠体分割成各个图像传感器芯片的其他方法,提出了如下的方法:将对于层叠体具有透过性的激光光线的聚光点定位于该层叠体的内部而进行照射从而形成改质层,对该层叠体赋予外力而以该改质层为分割起点分割成各个图像传感器芯片(参照专利文献2)。专利文献1:日本特开2010-103327号公报专利文献2:日本特开2010-108992号公报在通过上述专利文献1所记载的技术将层叠体分割的情况下,存在在该晶片侧的图像传感器芯片的外周产生缺损而导致品质的降低的问题,另外在通过上述专利文献2所记载的技术将层叠体分割的情况下,存在粉尘从构成该层叠体的晶片的改质层落下而导致品质的降低的问题。专利技术内容由此,本专利技术的目的在于提供层叠体的加工方法,在将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个芯片时,不会产生上述的品质的降低。根据本专利技术,提供层叠体的加工方法,将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片,所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器,其中,该层叠体的加工方法具有如下的工序:切削槽形成工序,从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具,对与分割预定线对应的区域进行切削,在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽;分割起点形成工序,从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线,在该晶片的内部连续地形成改质层,并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹,从而形成分割起点;层叠体支承工序,至少在该切削槽形成工序之后,将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架;分割工序,在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后,对该扩展带进行扩展,通过沿着该分割起点而形成的分割槽将该层叠体分割成各个图像传感器芯片;水溶性树脂填充工序,在通过该分割工序而形成的该分割槽中填充水溶性树脂;改质层去除工序,在该水溶性树脂发生了固化或半固化的状态下将切削刀具定位于该晶片的背面上所形成的该分割槽而进行切削,从而将该改质层去除;以及水溶性树脂去除工序,在维持该扩展带的该扩展状态的状态下,从该晶片的背面提供清洗水,将填充在该切削槽和该分割槽中的水溶性树脂去除。优选在实施该分割工序之前,预先在该晶片的背面上包覆水溶性树脂,在通过该分割工序将该层叠体分割成各个图像传感器芯片时,将该水溶性树脂从该晶片的背面填充至该分割槽,实施该水溶性树脂填充工序。优选在从该分割工序完成后至该水溶性树脂去除工序开始为止的期间的任意时刻,对处于该层叠体与该框架之间的扩展带施加热而使该扩展带收缩,从而维持扩展状态。根据本专利技术的层叠体的加工方法,从改质层产生的灰尘与水溶性树脂一起被顺利地排出到外部,并且不会在从层叠体分割的图像传感器芯片(CMOS、CCD)的外周产生缺损,不会使图像传感器的品质降低。附图说明图1是示出在本专利技术实施方式中作为被加工物的层叠体的结构的立体图。图2是示出将层叠体保持于切削装置的方式的立体图。图3是示出切削槽形成工序的实施方式的立体图。图4的(a)是通过切削槽形成工序形成有切削槽的层叠体的立体图,图4的(b)是形成有切削槽的层叠体的局部放大剖视图。图5是示出通过层叠体支承工序将层叠体借助扩展带T而支承于框架F的方式的立体图。图6的(a)是示出分割起点形成工序的实施方式的立体图,图6的(b)是示出通过分割起点形成工序而在构成层叠体的晶片的内部形成有分割起点的状态的局部放大剖视图。图7的(a)是示出分割工序的实施方式的局部剖视图,图7的(b)是已通过分割工序被分割成各个图像传感器芯片的层叠体的立体图,图7的(c)是已被分割成各个图像传感器芯片的层叠体的局部放大剖视图。图8的(a)是示出水溶性树脂填充工序的实施方式的立体图,图8的(b)是填充有水溶性树脂的层叠体的局部放大剖视图。图9的(a)是示出改质层去除工序的实施方式的立体图,图9的(b)是已被去除了改质层的层叠体的局部放大剖视图。图10是示出水溶性树脂去除工序的实施方式的立体图。标号说明10:晶片;12:图像传感器;12’:图像传感器芯片;14:分割预定线;18:玻璃基板;20:层叠体;30、70:切割装置;34、73:切削刀具;40:激光加工装置;42:激光光线照射单元;42a:聚光器;50:分割装置;56:带扩展单元;60:水溶性树脂提供单元;62:水溶性树脂;100、130:切削槽;110:分割起点;110a:改质层;110b:裂纹;120:分割槽。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术实施方式的层叠体的加工方法进行详细说明。参照图1,对在本专利技术实施方式中作为被加工物的层叠体进行说明。如图1所示,首先准备由交叉的多条分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个图像传感器(CMOS)12的晶片10以及透明的玻璃基板18。若准备了晶片10和玻璃基板18,则对晶片10的正面10a滴加透明的粘接剂(树脂结合剂)B而粘贴玻璃基板18。这样,借助由上述粘接剂B构成的粘接层B将晶片10和玻璃基板18一体化而形成层叠体20(参照图1的下部)。(切削槽形成工序)若如上述那样形成了层叠体20,则实施切削槽形成工序,从层叠体20的玻璃基板18侧形成切削槽。以下,参照图2和图3对切削槽形成工序进行说明。首先,将玻璃基板18侧朝向上方而将层叠体20载置于切割装置30(仅示出一部分)所具有的保持工作台31的保持面31a上。保持面31a由具有通气性的多孔陶瓷形成,与未图示的吸引单元连接。若将层叠体20载置于保持工作台31,则使该吸引单元进行动作而进行吸引保持。如图3所示,切割装置30具有主轴单元32。主轴单元32具有:切削刀具34,其固定于主轴33的前端部,在外周具有切刃;以及刀具罩35,其对切削刀具34进行保护。切削刀具34例如是适合玻璃基板18的切削的树脂结合剂磨具,直径设定成50mm,厚度设定成30μm。切削刀具34构成为能够与主轴33一起旋转,例如按照20,00本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠体的加工方法,将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片,所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器,其中,/n该层叠体的加工方法具有如下的工序:/n切削槽形成工序,从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具,对与分割预定线对应的区域进行切削,在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽;/n分割起点形成工序,从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线,在该晶片的内部连续地形成改质层,并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹,从而形成分割起点;/n层叠体支承工序,至少在该切削槽形成工序之后,将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架;/n分割工序,在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后,对该扩展带进行扩展,通过沿着该分割起点而形成的分割槽将该层叠体分割成各个图像传感器芯片;/n水溶性树脂填充工序,在通过该分割工序而形成的该分割槽中填充水溶性树脂;/n改质层去除工序,在该水溶性树脂发生了固化或半固化的状态下将切削刀具定位于该晶片的背面上所形成的该分割槽而进行切削,从而将该改质层去除;以及/n水溶性树脂去除工序,在维持该扩展带的该扩展状态的状态下,从该晶片的背面提供清洗水,将填充在该切削槽和该分割槽中的水溶性树脂去除。/n...

【技术特征摘要】
20181115 JP 2018-2147931.一种层叠体的加工方法,将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片,所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器,其中,
该层叠体的加工方法具有如下的工序:
切削槽形成工序,从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具,对与分割预定线对应的区域进行切削,在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽;
分割起点形成工序,从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线,在该晶片的内部连续地形成改质层,并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹,从而形成分割起点;
层叠体支承工序,至少在该切削槽形成工序之后,将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架;
分割工序,在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后,对该扩展带进行扩展,通过...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村胜
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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