【技术实现步骤摘要】
一种新型中束流平行透镜磁铁
本专利技术涉及一种半导体器件制造控制系统,即离子注入机,特别地涉及一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构。
技术介绍
随着集成电路工艺技术的提高,对中束流离子注入设备提出了更高的要求,离子注入元素的种类更多,离子注入时的能量也越来越高。为能够使中束流离子注入机完成能量更高、质量更大的重离子的离子注入,故而对中束流离子注入机平行透镜磁铁的重新设计就愈发值得关注。
技术实现思路
本专利技术公开了一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,可用于偏转高能量的重离子,并使其在平行透镜出口处平行化。其最终平行度可控制在60±0.26°。本专利技术公开了一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,磁铁磁极模块、通电线圈模块、磁铁磁轭模块,其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。该设计大幅度提高了中束流离子注入机的离子注入种类
【技术保护点】
1.一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,包括:磁铁磁极模块(1)、通电线圈模块(2)、磁铁磁轭模块(3),其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,包括:磁铁磁极模块(1)、通电线圈模块(2)、磁铁磁轭模块(3),其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。
2.如权利要求1所述的一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,通电线圈模块(2)分为上下两个通电线...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾晓亮,李士会,肖志强,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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