一种新型中束流平行透镜磁铁制造技术

技术编号:24253355 阅读:178 留言:0更新日期:2020-05-23 00:32
本发明专利技术公开了一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,包括:磁铁磁极模块(1)、通电线圈模块(2)、磁铁磁轭模块(3),其中磁铁磁极模块(1)由上下磁极构成,磁极间能够产生理想磁场,进而将以一定发散角进入磁铁的离子束利用磁极进行偏转后,使其在射出磁铁时呈现平行束状态;通电线圈模块(2)由中空导线、水冷组件等浇灌而成;磁铁磁轭模块(3)由上盖板、下盖板,磁极连接块等构成,用于控制磁铁的磁饱和现象。本发明专利技术涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。

A new type of medium beam parallel lens magnet

【技术实现步骤摘要】
一种新型中束流平行透镜磁铁
本专利技术涉及一种半导体器件制造控制系统,即离子注入机,特别地涉及一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构。
技术介绍
随着集成电路工艺技术的提高,对中束流离子注入设备提出了更高的要求,离子注入元素的种类更多,离子注入时的能量也越来越高。为能够使中束流离子注入机完成能量更高、质量更大的重离子的离子注入,故而对中束流离子注入机平行透镜磁铁的重新设计就愈发值得关注。
技术实现思路
本专利技术公开了一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,可用于偏转高能量的重离子,并使其在平行透镜出口处平行化。其最终平行度可控制在60±0.26°。本专利技术公开了一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,磁铁磁极模块、通电线圈模块、磁铁磁轭模块,其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。该设计大幅度提高了中束流离子注入机的离子注入种类以及注入能量。...

【技术保护点】
1.一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,包括:磁铁磁极模块(1)、通电线圈模块(2)、磁铁磁轭模块(3),其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,包括:磁铁磁极模块(1)、通电线圈模块(2)、磁铁磁轭模块(3),其特征在于:平行透镜磁极较一般中束流平行透镜磁极长度更长,面积更大。偏转角度为60°,偏转半径为1090mm。最大可以将能量为200keV的In离子水平发散离子束偏转60°并使其在出口处平行化。


2.如权利要求1所述的一种新型中束流离子注入机平行透镜磁铁结构,通电线圈模块(2)分为上下两个通电线...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾晓亮李士会肖志强
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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