一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种容易实现，节省成本和时间的使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法，本发明专利技术不需要完全除去光刻胶，但是能够使光刻胶污染物远离微纳米结构从而达到不影响微纳米结构性能的目的，即不影响相关器件的性能。本发明专利技术能够极大降低微纳米加工过程中产生光刻胶污染的影响，从而节省成本和时间。

A method to keep pollutants away from the micro nano structure on the surface of silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法
本专利技术涉及一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法。
技术介绍
当今制造亚微米/纳米器件要求硅片表面必须达到原子水平上的洁净光滑，而硅表面的金属微观污染是造成电子元器件性能失效的重要原因之一。硅是一种元素半导体材料，位于周期表中的IVA族，有4个价电子。硅中价层电子的数目使它正好位于优质导体(1个价电子)和绝缘体(8个价电子)的中间。若变形将很容易破碎，这与玻璃相似。它可以抛光得像镜面一样平整。硅表现出许多与金属一样的性质，同时也具有非金属的性质。与其他半导体材料如砷化镓和锗相比，硅物理性质并不突出，有些性质甚至比砷化镓和锗还差，如电子迁移率较低，是间接带隙材料，载流子的复合过程需要声子参与，发光效率很低等。硅材料之所以能成为目前世界上最重要的功能材料主要有4个理由：(1)硅的丰裕度；(2)更高的熔化温度(1412℃)允许更宽的工艺容限；(3)更宽的工作温度范围；(4)氧化硅的自然生成，尤其将硅作为半导体材料的关键原因是其表面自然生长氧化硅的能力。SiO2不但是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法，包括在硅片表面旋涂光刻胶、曝光与化学刻蚀，其特征在于，在硅片表面喷涂过渡金属纳米涂层，并加热，使得污染物远离硅片表面微纳米结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法，包括在硅片表面旋涂光刻胶、曝光与化学刻蚀，其特征在于，在硅片表面喷涂过渡金属纳米涂层，并加热，使得污染物远离硅片表面微纳米结构。


2.根据权利要求1所述的一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法，其特征在于，所述过渡金属为金。


3.根据权利要求1所述的一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法，其特征在于，所述纳米涂层的厚度为1-100nm。


4.根据权利要求3所述的一种使污染物...

【专利技术属性】
技术研发人员：何志伟，王建均，梁立军，
申请(专利权)人：浙江精筑环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33